模擬的電子技術基礎期末試題

1、實用標準文案精彩文檔填空題填空題1在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為0.5V，導通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V；鍺二極管的門檻電壓約為_0.1_V，導通后在較大電流下的正向壓降約為_0.2_V。2、二極管的正向電阻??；反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向導電性。ＰＮ結外加正向電壓時，擴散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向導電性，穩(wěn)壓二極管在使用時，穩(wěn)壓二極管與負載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入

2、一個電阻。5、電子技術分為模擬電子技術和數(shù)字電子技術兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術，稱為模擬電子技術。6、PN結反向偏置時，PN結的內電場增強。PN具有具有單向導電特性。7、硅二極管導通后，其管壓降是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為0.7伏；其門坎電壓Vth約為0.5伏。8、二極管正向偏置時，其正向導通電流由多數(shù)載流子的擴散運動形成。9、P型半導體的多子為空穴、N型半導體的多子為自由電子、本

3、征半導體的載流子為電子—空穴對。10、因摻入雜質性質不同，雜質半導體可為空穴（P）半導體和電子（N）半導體兩大類。11、二極管的最主要特性是單向導電性，它的兩個主要參數(shù)是反映正向特性的最大整流電流和反映反向特性的反向擊穿電壓。12、在常溫下，硅二極管的開啟電壓約為0.5V，導通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V。13、頻率響應是指在輸入正弦信號的情況下，輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應。15、N型半導體中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空

4、穴。16、按一個周期內一只三極管的導通角區(qū)分，功率放大電路可分為甲類、乙類、甲乙類三種基本類型。17、在阻容耦合多級放大電路中，影響低頻信號放大的是耦實用標準文案精彩文檔組態(tài)的頻率響應好。29、三極管放大電路的三種基本組態(tài)是共集、共基、共射。30、多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有直接耦合，阻容耦合，變壓器耦合。31、在單級共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察VO和VI的波形，則VO和VI的相位差為1800；當為共

5、集電極電路時，則VO和VI的相位差為0。32、放大器有兩種不同性質的失真，分別是飽和失真和截止失真。33、晶體管工作在飽和區(qū)時，發(fā)射結a，集電結a；工作在放大區(qū)時，集電結b，發(fā)射結a。（填寫a正偏，b反偏，c零偏）34、在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中，希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓與輸入電壓反相，可選用共射組態(tài)；希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓同相，可選用共集組態(tài)。35、場效應管同雙極型三極管相比，其輸入電阻大，熱穩(wěn)定性好36、影

6、響放大電路通頻帶下限頻率fL的是隔直電容和極間電容。37、三極管工作在放大區(qū)時，它的發(fā)射結保持正向偏置，集電結保持反向偏置。38、場效應管有共源、共柵、共漏三種組態(tài)。39、在多級放大電路中總的通頻帶比其中每一級的通頻帶窄。40、場效應管從結構上分成結型FET和MOSFET兩大類型，它屬于電壓控制型器件。41、場效應管屬于電壓控制電流型器件，而雙極型半導體三極管則可以認為是電流控制電流型器件。42、場效應管是電壓控制電流器件器件，只依靠多