基于憶阻器的混沌電路與邏輯運算.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、1971年,美國加州大學伯克利分校蔡少棠根據電路完備性理論,預測了憶阻器的存在;2008年,HP實驗室提出憶阻器的物理模型。憶阻器獨有的納米級尺寸,天然的存儲能力和非線性特性,引起了人們廣泛地關注。本文著重研究憶阻器在混沌電路和邏輯門電路構造中的應用潛力。一方面,隨著混沌系統(tǒng)的應用越來越廣泛,由于傳統(tǒng)混沌電路結構復雜且易出現電路故障,使得混沌系統(tǒng)的發(fā)展遇到障礙。另一方面,計算機系統(tǒng)是基于邏輯門來實現的,在許多情況下,必須利用邏輯門在存儲

2、器與算術邏輯單元之間反復傳遞操作數。傳統(tǒng)邏輯門由晶體管構成,隨著晶體管尺寸縮小即將達到極限,傳統(tǒng)邏輯門面臨的發(fā)展瓶頸。本文利用憶阻器的非線性特性,構造基于憶阻器的混沌電路;利用憶阻器的開關特性,設計基于憶阻器的邏輯門電路;利用憶阻器的納米級尺寸優(yōu)勢,可以使提出的混沌電路和邏輯門電路更加微型化。本文的主要內容如下:
   (1)介紹了憶阻器的基本理論及工作原理,用數值仿真,Pspice等軟件對惠普憶阻器進行了建模和仿真,從而證實了

3、憶阻器的基本性質,同時介紹了憶阻器的典型應用。
   (2)介紹了傳統(tǒng)的蔡氏混沌電路,分析其電路結構的復雜性,構建了結構更加簡單的四階蔡氏混沌電路,并分析了線性耦合和無量綱方程對該混沌電路性能的影響。
   (3)將憶阻器引入到改進后的蔡氏混沌電路中,簡化了其電路結構,并用數值仿真對此電路進行了仿真,用Lyaponov指數分析該電路的混沌特性,驗證了用憶阻器取代蔡氏二極管后的有效性,同時探討了改變電路參數后對混沌特性的影

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