p型ZnO薄膜制備與表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文利用新型金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）系統(tǒng)在硅和藍寶石襯底上生長出了高質(zhì)量的ZnO薄膜，并對其摻雜特性作了詳細的研究，獲得了一定的結(jié)果。在國內(nèi)外首次使用N2O為氧化劑O2提供富氧環(huán)境，通過MOCVD系統(tǒng)在硅襯底上生長出高質(zhì)量的ZnO薄膜。X射線光電子譜(XPS)、Hall測量、X射線衍射(XRD)和光致發(fā)光(PL)譜測量結(jié)果表明：在400℃下生長的ZnO薄膜，具有高的化學配比和很好的光學性質(zhì)，但其結(jié)構(gòu)和電阻率沒有在高溫下(50

2、0℃)好。通過在不同N2O流量的摻雜試驗，得到不同的結(jié)構(gòu)、光學和電學特性的ZnO薄膜，在N2O流量為70sccm得到最好的結(jié)構(gòu)和光學特性，并且電阻率和載流子濃度分別為1.24×105O·cm和1.53×1013cm-3。對ZnO薄膜摻氮的研究結(jié)果表明，通過射頻等離子體離化，能有效的將氮摻入ZnO薄膜當中。對摻氮的高阻ZnO薄膜的特性研究表明，氮摻雜基本上沒有改變ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)特性和發(fā)光特性。利用噴涂熱解方法在半絕緣的砷化鎵沉底上制備出

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