p型導(dǎo)電ZnO：（Al，N，H）薄膜的制備及性能研究.pdf

1、ZnO是一種新型的Ⅱ-Ⅵ族寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，由于ZnO具有很高的激子束縛能(室溫下為60meV)，激子增益可達(dá)到300cm-1，是一種可能的短波長(zhǎng)發(fā)光器件材料，在LEDs、LDs等領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景。通過(guò)摻入Al、Ga等施主雜質(zhì)可形成性能優(yōu)異的n-ZnO材料，但p-ZnO材料的制備卻較為困難。可能的原因有兩個(gè)：其一是受主雜質(zhì)在ZnO中的固溶度較低；其二，ZnO薄膜中存在的一些本征施主缺陷(如鋅間隙和氧空位)會(huì)對(duì)受主雜質(zhì)產(chǎn)生高度自

2、補(bǔ)償現(xiàn)象。T.Yamamoto等通過(guò)對(duì)不同摻雜源的ZnO制備過(guò)程中系統(tǒng)內(nèi)部Madelung能量理論研究，提出施主-受主共摻雜技術(shù)，即通過(guò)施主(B、Al、Ga等)、受主(N、P、As等)共摻雜技術(shù)可以較容易地實(shí)現(xiàn)ZnO的p型轉(zhuǎn)變。實(shí)驗(yàn)證明這是一種可行的p-ZnO的制備技術(shù)，在幾種施主雜質(zhì)中，Al原材料豐富，價(jià)格低廉，如果能實(shí)現(xiàn)Al-N共摻制備p-ZnO薄膜，那么對(duì)于ZnO材料的實(shí)際應(yīng)用有極其深遠(yuǎn)的意義。 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)