應變調控二氧化釩薄膜相變特性的初步研究.pdf

1、二氧化釩（VO2）的半導體-金屬相變致使其光學性質發(fā)生顯著變化，電導率也伴隨著發(fā)生3-5個量級的改變。這一性質使得VO2的研究在光電子器件領域具有重要的科學意義和應用前景。廣泛的研究表明溫度、外電場以及脈沖激光可以驅動VO2半導體-金屬相變的發(fā)生。但除此以外，晶格應力的改變也可以大幅調控其相變特性來實現光電子器件的應用。本文以研究應變調控的VO2薄膜為目的，在材料合成、相變表征、應變調控等方面做了一些基礎性的工作，主要研究內容和成果如下

2、：
　　(1)提出了相變材料溫度-電阻率數值上的經驗模型。模型與實際測量數據變化規(guī)律吻合，基于此模型可以量化表征相變特性的各種參數；
　　(2)采用離子束濺射+后退火工藝，在多種基底上成功制備了相變前后具有三個量級以上電阻率變化的VO2薄膜，討論了不同基底和不同氧含量對薄膜性狀和性質的影響；
　　(3)探索了柔性襯底上生長VO2薄膜的工藝，使用空氣退火的方法在聚酰亞胺基底上制備了半導體態(tài)氧化釩，從內應力角度解釋了柔性基