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文檔簡介
1、本文建立了一種水相中合成CdSe量子點的新方法,在此基礎(chǔ)上,對所合成量子點的化學(xué)發(fā)光及電致化學(xué)發(fā)光性質(zhì)作了初步的探索。主要研究內(nèi)容及結(jié)果如下: 1.采用巰基乙酸(MAA)作為表面修飾劑,CdCl2和NaHSe為反應(yīng)前體,在水溶液中合成了粒徑約1.5 nm的CdSe量子點。通過紫外.可見吸收光譜、熒光光譜、化學(xué)發(fā)光三種手段對所合成的量子點進行了表征,并研究了反應(yīng)時間、反應(yīng)溫度、MAA加入量以及Cd:Se摩爾比等條件對CdSe量子點
2、的化學(xué)發(fā)光性能的影響。結(jié)果表明:當(dāng)Cd:Se摩爾比為2:1,MAA加入量為120gL,反應(yīng)溫度為30℃,反應(yīng)時間為1 h時,可以得到化學(xué)發(fā)光性能較好的CdSe量子點。 2.建立了CdSe量子點-H<,2>O<,2>化學(xué)發(fā)光新體系。通過研究不同氧化劑、堿性介質(zhì)濃度、氧化劑濃度、量子點濃度及幾種表面活性劑對CdSe量子點化學(xué)發(fā)光的影響,對CdSe量子點化學(xué)發(fā)光的條件進行了優(yōu)化。結(jié)果表明:在堿性介質(zhì)中,CdSe量子點可以被H<,2>O
3、<,2>直接氧化產(chǎn)生化學(xué)發(fā)光,陽離子表面活性劑十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)對CdSe量子點-H<,2>O<,2>體系的化學(xué)發(fā)光強度有一定程度的增敏作用。探討了CdSe量子點化學(xué)發(fā)光的反應(yīng)機理,為水溶性CdSe量子點化學(xué)發(fā)光的進一步應(yīng)用提供了參考。 3.建立了水溶性CdSe量子點電致化學(xué)發(fā)光新體系。直接在水溶液中采用三電極系統(tǒng)對CdSe量子點溶液進行掃描,觀察到化學(xué)發(fā)光現(xiàn)象,并對水溶液中CdSe量子點電致化學(xué)發(fā)光的條件(如掃描
4、速率、溶解氧、CdSe量子點的濃度等)進行了優(yōu)化?;卩彵饺右种艭dSe量子點電致化學(xué)發(fā)光的現(xiàn)象,建立了鄰苯三酚檢測新方法,該方法對鄰苯三酚檢測的線性范圍為4.0×10<'-7>~2.0×10<'-5>mol/L,檢測限為6.6×10<'-8>mol/L(S/N=3)。同時,對CdSe量子點電致化學(xué)發(fā)光的反應(yīng)機理進行了探討。實驗結(jié)果表明,CdSe量子點電致化學(xué)發(fā)光光譜的峰位置與熒光光譜的缺陷峰位置幾乎相同,這說明量子點的表面缺陷在光發(fā)
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