BeH+光譜結構計算和Be-X+(X=H,D,T)碰撞輻射過程理論研究.pdf

1、分子結構光譜和離子-原子碰撞過程的研究具有廣泛的應用背景。在天體物理研究中，可以通過分子光譜來分析天體環(huán)境中元素的種類和豐度。在磁約束聚變研究中，聚變裝置的邊區(qū)和偏濾器區(qū)等離子體中存在大量的原子分子過程，這些過程的散射截面和反應速率系數(shù)等，是等離子體理論模擬所必需的重要參數(shù)，對邊區(qū)和偏慮器區(qū)等離子體的粒子和能量輸運、等離子性質的診斷等具有重要意義。
　　BeH+分子不僅在恒星大氣和星際介質等天體環(huán)境中廣泛存在，同時也廣泛存在于磁約

2、束聚變裝置的邊區(qū)和偏濾器區(qū)等離子體中。鑒于BeH+體系的重要研究價值，本文主要研究了BeH+分子結構、吸收光譜和Be同H+及其同位素(D+，T+)的碰撞輻射過程。主要工作如下:
　　1、BeH+分子低激發(fā)態(tài)結構和光譜計算。采用多參考組態(tài)相互作用(MRDCI)方法，計算了BeH+分子的最低的4個自旋單重態(tài)的絕熱勢能曲線和波函數(shù)，包括3個1∑+和1個1Π電子態(tài)。在此基礎上，計算得到每個電子態(tài)對應的振轉能級和波函數(shù)、不同電子態(tài)之間的電偶

3、極躍遷矩和Einstein系數(shù)。利用BeH+分子結構參數(shù)，計算了不同溫度條件下BeH+的不透明度，并計算了溫度T=100 K-40000 K范圍內BeH+分子的配分函數(shù)。
　　2、Be同H+及其同位素(D+，T+)碰撞輻射過程研究。利用上述計算得到的BeH+分子結構參數(shù)，采用全量子的光學勢方法，研究了Be-H+碰撞輻射過程。在能量區(qū)間10-8 eV/u-10-1 eV/u，計算從Be(2s2)+ H+態(tài)到能量最低的3個電子態(tài)之間的