熱處理對(duì)摻CH-,4-的SiCOH薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩45頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、隨著超大規(guī)模集成電路的特征線寬不斷減小，導(dǎo)致信號(hào)傳輸延時(shí)、功耗增大以及互連阻容耦合增大等問題，為了解決這一問題，多孔低(超低)κ介電材料越來越引起人們的注意。 通過在前驅(qū)氣體D5源中添加甲烷，由ECRCVD沉積技術(shù)制備出了SiCOH薄膜，由于在SiCOH低κ薄膜的致孔工藝及后道工藝中，薄膜需要經(jīng)受400~450℃的熱沖擊，因此首先對(duì)不同甲烷流量下真空退火前后薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌和濕水性進(jìn)行了研究。在真空熱處理過程中，熱穩(wěn)定性較差

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論