立方氮化硼薄膜的制備和電學(xué)性質(zhì)研究.pdf

1、本文主要研究了立方氮化硼(c-BN)薄膜的制備、成核機(jī)理、光學(xué)帶隙以及氮化硼(BN)/Sin-p和BN/Sip-p薄膜異質(zhì)結(jié)的電學(xué)性質(zhì)。 使用RF射頻濺射系統(tǒng)，在Si襯底上沉積氮化硼薄膜，用離子注入的方法在制備好的BN薄膜中分別注入S和Be，成功的制備了BN/Sin-p和BN/Sip-p薄膜異質(zhì)結(jié)，用高阻儀測(cè)得BN薄膜表面電阻率和BN/Si薄膜異質(zhì)結(jié)的I-V曲線，用C-V儀測(cè)得BN/Si薄膜異質(zhì)結(jié)的C-V曲線。從能量和結(jié)構(gòu)兩個(gè)角

2、度成功分析了BN四種相的轉(zhuǎn)變過(guò)程，得到從h-BN到c-BN轉(zhuǎn)變的一個(gè)可能途徑：h-BN→r-BN→c-BN。研究發(fā)現(xiàn)：純的h-BN到r-BN的轉(zhuǎn)變需要克服一個(gè)很高的能量勢(shì)壘，而r-BN到c-BN的轉(zhuǎn)變只需要克服一個(gè)很低的能量勢(shì)壘；c-BN薄膜中存在的大量缺陷和雜質(zhì)大大降低了從h-BN到r-BN轉(zhuǎn)變所需要的能量，促進(jìn)了薄膜中立方相的形成。實(shí)驗(yàn)制備的BN/Sip-p薄膜異質(zhì)結(jié)的正向伏安特性隨著B(niǎo)e注入劑量的增大、退火溫度的升高和BN薄膜內(nèi)立