利用LPCVD法在SiC襯底上制備Ge晶須及機理分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于寬禁帶SiC半導體材料僅對紫外光敏感,而對紅外光和可見光是透明的,這使得開發(fā)非紫外光控SiC功率器件遇到了困難。為此,可以采用SiC/Ge異質結作為SiC基光控器件的非紫外光吸收單元加以解決。本文利用LPCVD(低壓化學氣相沉積)方法在4H-SiC(0001)襯底Si面上生長Ge晶須,重點研究工藝參數(生長溫度,生長時間,源氣體流量比)對表面形貌和結晶質量的影響,并通過SEM、XRD、Raman和TEM對Ge晶須的表面形貌、結晶取向

2、和SiC/Ge界面進行了表征和分析。主要研究內容和結論為:
  1.利用LPCVD法在4H-SiC(0001)襯底Si面成功制備了具有擇優(yōu)取向的Ge晶須。Ge晶核顆粒具有擇優(yōu)取向,擇優(yōu)取向為<111>晶向。在生長溫度850℃,H2和GeH4流量分別為200SCCM和20SCCM,生長時間為60min的工藝條件下,晶核尺寸約為9.05nm。
  2.分析了晶核的成核機制和生長模式,包括生長過程中晶核顆粒的奧斯瓦爾吞并效應,以及

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