利用LPCVD法在SiC襯底上制備Ge晶須及機(jī)理分析.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、由于寬禁帶SiC半導(dǎo)體材料僅對(duì)紫外光敏感，而對(duì)紅外光和可見(jiàn)光是透明的，這使得開(kāi)發(fā)非紫外光控SiC功率器件遇到了困難。為此，可以采用SiC/Ge異質(zhì)結(jié)作為SiC基光控器件的非紫外光吸收單元加以解決。本文利用LPCVD（低壓化學(xué)氣相沉積）方法在4H-SiC（0001）襯底Si面上生長(zhǎng)Ge晶須，重點(diǎn)研究工藝參數(shù)（生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)時(shí)間，源氣體流量比）對(duì)表面形貌和結(jié)晶質(zhì)量的影響，并通過(guò)SEM、XRD、Raman和TEM對(duì)Ge晶須的表面形貌、結(jié)晶取向

2、和SiC/Ge界面進(jìn)行了表征和分析。主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)論為：
　　1.利用LPCVD法在4H-SiC（0001）襯底Si面成功制備了具有擇優(yōu)取向的Ge晶須。Ge晶核顆粒具有擇優(yōu)取向，擇優(yōu)取向?yàn)?111>晶向。在生長(zhǎng)溫度850℃，H2和GeH4流量分別為200SCCM和20SCCM，生長(zhǎng)時(shí)間為60min的工藝條件下，晶核尺寸約為9.05nm。
　　2.分析了晶核的成核機(jī)制和生長(zhǎng)模式，包括生長(zhǎng)過(guò)程中晶核顆粒的奧斯瓦爾吞并效應(yīng)，以及

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