利用LPCVD法在SiC襯底上制備Ge晶須及機理分析.pdf

1、由于寬禁帶SiC半導體材料僅對紫外光敏感，而對紅外光和可見光是透明的，這使得開發(fā)非紫外光控SiC功率器件遇到了困難。為此，可以采用SiC/Ge異質結作為SiC基光控器件的非紫外光吸收單元加以解決。本文利用LPCVD（低壓化學氣相沉積）方法在4H-SiC（0001）襯底Si面上生長Ge晶須，重點研究工藝參數（生長溫度，生長時間，源氣體流量比）對表面形貌和結晶質量的影響，并通過SEM、XRD、Raman和TEM對Ge晶須的表面形貌、結晶取向

2、和SiC/Ge界面進行了表征和分析。主要研究內容和結論為：
　　1.利用LPCVD法在4H-SiC（0001）襯底Si面成功制備了具有擇優(yōu)取向的Ge晶須。Ge晶核顆粒具有擇優(yōu)取向，擇優(yōu)取向為<111>晶向。在生長溫度850℃，H2和GeH4流量分別為200SCCM和20SCCM，生長時間為60min的工藝條件下，晶核尺寸約為9.05nm。
　　2.分析了晶核的成核機制和生長模式，包括生長過程中晶核顆粒的奧斯瓦爾吞并效應，以及