濕法工藝中缺陷問題的研究.pdf

1、在半導體制造流程中，濕法清洗是作為承擔污染物清洗并確保產品良率穩(wěn)定極其重要的工藝站點，研究濕法工藝中所遇到的缺陷問題是非常有意義的課題。本文將主要介紹濕法清洗的概念與原理，總結歸納濕法工藝中常見的缺陷類型與產生機理，并重點以光刻膠殘留，柵氧成膜厚度異常與 Scrubber V型缺陷三種疑難缺陷為實例進行深入分析與研究。
　　對于鈷硅化物預清洗站點的光刻膠殘留缺陷，通過分析該缺陷的分布圖形與類型，結合該工藝程式與硅片浸潤性等理論依據

2、并通過實驗驗證了缺陷來源為HF藥液槽，最后通過增加SC1清洗解決了光刻膠殘留問題，將產品良率提高了1%左右。
　　對于柵氧成膜厚度異常，通過結合膜厚異常區(qū)域與進入機臺相對應位置關系，并分析機械臂的作業(yè)模式局限性與實驗驗證確定了缺陷成因為硅片被機械臂搬送震動時掉落的含硫結晶物污染，最后通過改善機臺硬件參數與將硫酸槽浸泡時間延長到180秒來解決成膜異常。
　　對于Scrubber V型缺陷，通過分析機臺結構原理與各種清洗功能的特