稀土摻雜的新型熒光粉的合成與光譜性質研究.pdf

1、白光LED具有節(jié)能、環(huán)保、高效等優(yōu)點，被譽為第四代照明光源。現(xiàn)階段商用的白光LED是由藍光LED芯片與黃光熒光粉組合而成的，這種缺失紅光成分的白光，相對來說顯色指數(shù)并不理想。故本文主要探究的方向在于:(1)研究發(fā)光性能良好的紅光熒光粉;(2)研究能被近紫外激發(fā)的單一相白光熒光粉。本文采用的制備熒光粉的方法主要是高溫固相法，通過高溫固相法制備了一系列不同摻雜濃度的紅光熒光粉Ba3Gd(PO4)3∶Eu3+和GdNbO4∶Sm3+，以及白光

2、熒光粉GdNbO4∶Dy3+樣品。并探究了各樣品的光學性質和色度學性質，主要內(nèi)容包括:
　　(1)通過XRD衍射圖譜分析了Ba3Gd(PO4)3∶Eu3+樣品的晶體結構。利用VanUitert模型對5D0能級熒光的濃度猝滅行為進行了研究，發(fā)現(xiàn)濃度猝滅是由于Eu3+與Eu3+間交換相互作用所導致。分析了5D0能級熒光發(fā)射對溫度的依賴關系，給出了溫度猝滅行為符合crossover模型的結論。利用Eu3+的發(fā)射光譜和熒光衰減數(shù)據(jù)，計算了

3、5D0→7FJ輻射躍遷速率及熒光分支比，同時得到了光學躍遷強度參數(shù)。
　　(2)GdNbO4∶Sm3+樣品的XRD測試結果表明該樣品為純相，Sm3+的摻雜并沒有改變樣品的晶體結構。隨著Sm3+摻雜濃度的增加，樣品發(fā)生了濃度猝滅。用Van Uitert模型對樣品進行擬合，推斷引起樣品濃度猝滅的機制是電偶極-電偶極相互作用，最后對不同摻雜濃度的樣品進行了色坐標計算。
　　(3)測試了GdNbO4∶Dy3+樣品的XRD衍射圖譜，結