FS結構的3300V IGBT終端設計.pdf

1、IGBT自誕生以來就以其優(yōu)異的性能和廣闊的應用前景激勵著一代又一代工程師進行探索和研究。截至目前為止，高壓IGBT的核心技術仍然掌握在國外少數(shù)幾家公司手中。國內(nèi)由于起步晚、工藝能力薄弱等原因一直處于追趕狀態(tài)。對于高壓IGBT而言，結終端的設計對于器件的耐壓以及可靠性都有重要的意義。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴分析了功率器件的擊穿原理以及主流終端結構的耐壓機制，綜合比較了各種終端結構的優(yōu)勢和不足。結合代工廠的工藝條件，最終選定了場限

2、環(huán)結合雙級場板這種終端結構進行設計。⑵和代工廠協(xié)商制定工藝制造流程，仿真優(yōu)化得到終端的各項基本參數(shù)。并且在設計的過程中選擇了兩種不同的表面電場分布進行設計對比。在此基礎上，結合代工廠給定的版圖設計規(guī)則制定版圖方案，完成了版圖的繪制，并交由代工廠流片。⑶對流片回來的芯片進行測試，擊穿電壓達到4000V以上，滿足3300V的設計目標。此外，我們挑選出一部分靜態(tài)測試參數(shù)較好的器件進行高溫反偏考核。考核結果顯示，采用三角形電場分布的終端結構的可