ba,0.65sr,0.35tio,3薄膜的磁增強反應離子刻蝕工藝研究_第1頁
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文檔簡介

1、湖北大學碩士學位論文BaSrTiO薄膜的磁增強反應離子刻蝕工藝研究姓名：全祖賜申請學位級別：碩士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：張柏順20070501同。當0 < V B 細< I ．5 3 V 時，J - V 曲線符合歐姆導電機制。當4 ．5 9V < V B 蛔< 1 0 ．2 V 時，l o g J - l o g V 曲線符合空間電荷限制電流( S C L C ) 模型。當l O ．7 1 V <

2、; V B h < 2 5V 或- 2 5v < ‰，< - 1 0 ．7 1 V 時，刻蝕前和刻蝕后以及刻蝕后再退火的B S T 電容器的漏電流密度主要受B S T ／P t 或P t ／B S T 界面處肖特基勢壘高度的限制，l n 2 - P 尼或l n 2 - N m 曲線符合肖特基發(fā)射模型。關鍵詞：B S T 薄膜；M E R L E 工藝；C F 4 ／A r ／0 2 等離子體；后期退火；等離子體誘導損傷

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