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1、在鋅片基底上利用熱氧化法，簡單低溫濕化學(xué)法和熱氧化-濕化學(xué)法制備了不同結(jié)構(gòu)的納米ZnO。結(jié)合XRD、SEM、DRS表征手段對制備的樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)和表面特性分析。在不同的溫度下熱氧化，制備了具有六方釬鋅礦結(jié)構(gòu)的納米ZnO粒子膜，而用低溫濕化學(xué)法和熱氧化-濕化學(xué)法制備了具有高度取向性的六方釬鋅礦結(jié)構(gòu)的ZnO納米棒陣列膜。制備的ZnO納米棒垂直于金屬鋅片基底生長且有良好的c軸取向性，納米棒頂端直徑在100nm-150nm之間。熱氧化-濕化學(xué)法制
2、備的納米棒在鋅片表面更致密、排列更加有序、取向性更好。在PL譜中，觀察到直接濕化學(xué)法制備的ZnO納米棒陣列薄膜具有良好的發(fā)光性能，在379nm附近發(fā)出強的熒光，吸收帶邊在378nm附近，禁帶寬度為Eg=3.28eV。而350℃熱氧化-濕化學(xué)法制備的ZnO納米棒具有三個熒光發(fā)射帶，中心波長分別位于386nm的紫帶、524nm的綠帶和450nm-500nm附近的藍(lán)帶。 光催化實驗結(jié)果表明，經(jīng)過350℃熱氧化-濕化學(xué)法制備的ZnO納
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