光電子學-第四章11

1、湖南大學物理與微電子科學學院，王玲玲2016 年 3 月,,物理與微電子科學學院,School of Physics and MicroelectronicsScience,光電子學 第四章 光輻射在介質波導中的傳播 第十七講,問題一：光纖的損耗有哪幾種?,吸收損耗：

2、 本征吸收損耗，紫外區(qū)吸收，電子躍遷引起； 紅外區(qū)吸收，晶格振動及多聲子過程引起； 過渡金屬正離子和水氫氧根負離子； 熔融石英玻璃含水；原子缺陷吸收損耗; 耗散損耗：

3、 線性散射損耗，瑞利散射，米氏散射；

4、 非線性散射損耗；波導散射損耗；彎曲損耗： 彎曲處曲率半徑越小，損耗越大；?越長，損耗越大；,第十六講要點回顧,問題二：什么是光纖的色散？,第十六講要點回顧,問題三：光纖的色散有哪幾種？哪些屬于模內色散？哪些屬于模間色散？單

5、模光纖與多模光纖分別由什么為主？,?? 引起色散：材料色散，波導色散，模間色散； 模內色散：材料色散與波導色散（單模光纖）； 模間色散（多模光纖）。,第十六講要點回顧,問題四：材料色散主要由什么決定？,第十六講要點回顧,問題五：波導色散主要由什么決定？,波導色散：光纖幾何特性使信號相位和群速度隨?變引起色散，光纖結構引起，屬模內色散；,入射角不同致不同?光波傳輸路程不同引起時延差致波導色散； 波導色散：與尺寸（線經a）有

6、關； 與?有關；,a一定，?越長，波導色散越嚴重（短?相反），與材料色散相反。,第十六講要點回顧,問題六：模間色散主要由什么決定？,第十六講要點回顧,,,光輻射在介質波導中的傳播,4,,,§4-7 光纖損耗與色散,§4-6 光纖中電磁波模式理論,§4-4 矩形介質波導基本概念,§4-3 平板波導的電磁理論,§4-2 介質平

7、板光波導的射線分析方法,§4-1 光在介質分界面上的反射與折射,§4-5 光纖中的射線分析（上、下）,§4-8 光波導裝置與應用,第十五講要點,光開關和調制器,20世紀60年代早期光波導現象，理論發(fā)展，裝置問世。 但：有些裝置未經受t考驗，性能差淘汰； 有些局限，或僅應用潛在可能。,部分光波導裝置應用成功。 領先摻鈦鈮酸鋰（Ti:LiNbO3），適合波導，特大

8、電光和聲光系數。 商品化大塊基片出售，易加工。,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,介紹波導 （1）制造工藝、 （2）裝置結構、 （3）主要性能、 （4）應 用。,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,波導范圍廣， 制造技術

9、各不同。 平板波導（一方向不受限）和通道波導（四周包圍物，矩形，光纖）集成光學與甚大規(guī)模集成（VLSI）微電子學類似； 目標： 同基片制大量小型互聯(lián)裝置，及LED發(fā)光二極管、LD半導體激光器和探測器；,基片正確定向，拋光和表面凈化，波導材料薄層附加到基片表面。 非晶材料， 直接沉積任何基片上； 結晶層無應力外延生長技術附加到結晶基質上。,兩技術

10、都派生不同方法，各具優(yōu)點?；|表面性質通過擴散 或注入不同類物質變。 不需部分刻蝕法去除，基片表面發(fā)生，表面部分區(qū)形成一定圖案，光刻技術。 光刻：材料沉積， 材料去除。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,多光電子裝置基元?m級，加工超凈間進行。

11、 濾除灰塵顆?？諝?，否光刻波導條紋現裂痕； 恒T和濕度，可重復； 凈室人員穿特制衣服，設計使帶進房間污染最小。上措施—合格率—可靠性—使用壽命（聯(lián)系）。,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,Si 基鐵電光波導示意圖,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和

12、調制器 三、干涉濾波器,基片—非晶，玻璃；晶片，機械電子性能好。 電光裝置：基片絕緣結晶LiNbO3； 光發(fā)射裝置：InP或GaAS制備。 厚0.5mm，橫向幾cm，結晶基片原料鋼玉，大塊晶體。 結晶：氣?液或非?結晶固態(tài)相變。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二

13、、開關和調制器 三、干涉濾波器,Si 基鐵電光波導示意圖,液體是所需材料化合物高純熔融物， 固體小塊籽晶。液體分子逐層附著表面，每層與前層正確相對位置。 如：Si片單晶爐提拉生長。數十kg電子學級Si入熔爐，射頻誘導加熱器或電阻加熱線圈將其熔化。熔爐與熔化Si不反應，以免摻雜質。 Si石Tm 1412℃，不純物析出。熔爐石墨底座?機械強度。 熔融在惰性氣體Ar或真空進行。,Si 基鐵電光波導示意圖,1

14、. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,GaAs（Tm 1238℃）類基片技術生長。 區(qū)別：GaAs加熱分解，熔融物上方As蒸汽壓須控制。 BN坩堝，磁場熔融，“磁滯”抑制熱能對流， 優(yōu)點：?生長晶體位錯數。 長晶體，

15、XRD晶軸定向，切片，刻蝕10?m，去除切割和成形晶格缺陷。 表面拋光，得優(yōu)于2?m平面度。,① 沉 積 ② 外延生長,基片準備好，制備波導膜。 方法： 沉積和外延生長。 沉積基片表面1?m厚電介質或金屬膜： 真空蒸發(fā)：基片和鍍膜材料置真空罩，后者加熱Tm，熱能使孤立原子逃離熔融物飛往基片，附著表層。 類非真空鍍膜：真空鍍膜不同射頻濺鍍法，鍍膜室充N，Ar.,基片,靶,1. 平板波導加工 2.

16、基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,基片在鍍膜材料附近，鍍膜室充P 10-3-10-2乇Ar2；,鍍膜材料陰極（靶）；基片陽極（圖7-2）。,交流射頻E（13.56MH）作用，Ar進入等離子態(tài)（離子與自由電子混合）。 帶正電荷Ar離子先轟擊陰極靶使

17、 其發(fā)射鍍膜原子—濺射，入射快速 離子與靜態(tài)原子間動量交換過程。 發(fā)射方向隨機，大量原子 飛向基片附著表面。 濺鍍適合金屬靶。 速率依賴靶性質，波導層較厚， 長沉積t.,陽極 陰極,基片,靶,① 沉 積 ② 外

18、延生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,A、化學汽化沉積（CVD）——非真空鍍膜： 熔爐，一大氣壓熱氣體混合物從基片上方流過，化學反應，生成需化合物，漸沉積在基片表面； 基片按不同方位放置，取決氣流方向//還是?豎直，與加熱方式有關

19、。,① 沉 積 ② 外延生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,① 沉 積 ② 外延生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕

20、6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,圖1 雙梯度法制備ZnCdSSe nm線實驗裝置,圖2 ZnxCd1-xSySe1-y nm線各元素占百分比與處基底位置關系,靠近放置相應反應物石英管側呈較高比例，印證反應物濃度梯度對ZnCdSSe組分影響,基于氣—液—固（VLS）機制半導體合金nm線化學氣相沉積（CVD）雙梯度法理論,① 沉 積 ② 外延生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制

21、備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,圖3 x, y含量與處基底位置關系，插圖x, y實驗數據,圖4 與位置相關ZnxCd1-xSySe1-y nm線禁帶寬度與發(fā)射峰?理論預期值（黑方塊）與實驗數據（紅三角形）對比；禁帶寬度對比；發(fā)射峰?對比。,① 沉 積 ② 外延生長,1.

22、平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,圖5 不同內置石英管位置，合金nm線組分x, y與所處基底位置關系(a) z1=0, z2=20(b) z1=5, z2=15 (c) z1=10, z2=10,① 沉 積 ② 外延生長,1. 平板波

23、導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,圖6 不同反應物濃度梯度下，ZnCdSSe nm線禁帶寬度,圖7 不同反應物濃度梯度及生長T梯度，汽相過飽和度對應基底不同位置關系,裝載反應物石英管互靠攏（z1=5mm，z2=15mm），z向過飽和度呈較大波動，基底不同位置nm線

24、不同生長機制,隨載有反應物石英管靠攏，生長產物能帶間隙跨度呈逐漸縮小趨勢。,非晶膜沉積隨機，無固定晶態(tài)結構。 Ⅲ-V半導體光電裝置要求膜層分子有序排列，外延法生長。 外延生長思想： 基片有序生長模板，膜與基片參數匹配； 生長材料與基片相同化學成分——同質外延； 兩種材料不同化學成分——異質外延。,① 沉 積 ② 外延生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4

25、. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,外延生長可基于蒸汽或液體。 后者可<基片Tm實現。 5%As+95%Ga混合88℃（<GaAsTm1238℃）熔融， 一個As與一個Ga結合，生成GaAs，基片表面外延生長。 Ga/As熔融過程變，開

26、始比值高。GaAs基片持續(xù)生長GaAs模， 工作T<GaAsTm，不伴隨基片熔化。 基于液態(tài)外延生長術——液相外延（LPE），有缺點，性能更好氣相外延（VPE）取代。,外延生長條件： 吸附原子表面擴散速率； 基體與薄膜結晶相容性； 基體表面狀態(tài)。,① 沉 積 ② 外延生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5.

27、 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,B、分子束外延（MBE）——超高真空汽化低溫過程 過程：加熱幾個裝生長材料成分熔爐（電子束加熱），汽化，發(fā)射原子飛行過程結合形成新分子束，被基片表面吸收。 控制不同材料蒸汽速率，膜生長慢（0.01-0.03µm/h）； 優(yōu)點：低溫，膜與基片間不擴散， 適用生長應變多量子阱（MQW）；

28、MBE（分子束外延）起源MQW。,① 沉 積 ② 外延生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,量子阱：2種不同半導體相間排列成，明顯量子限制效應電子或空穴勢阱。 特征：量子阱寬度限制（足夠小形成），載流子波函數一維向局域化。

29、 三明治結構，中間薄層半導體膜，外側兩隔離層。,① 沉 積 ② 外延生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,InAsP MQW PL強度與阱數關系,量子阱使量子點有效發(fā)光,nm晶體表面涂層有機分子，阻礙外來電子刺激量子點發(fā)光。

30、美國洛斯阿拉莫斯國家實驗室將CdSe量子點放在“量子阱”上，量子阱為媒介間接刺激量子點發(fā)光。發(fā)光二極管效率?一倍。 200710 Nature,① 沉 積 ② 外延生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,,,① 沉 積 ② 外延

31、生長,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,,,,,,,,有些位置空出，雜質原子乘虛入，占據——補空式（a）； 無空位，雜質原子通過晶格間隙擴散進基片——填隙式（b）； 兩種都向基片內擴散——向內擴散。,表面改性用于制波導，簡單法擴散。

32、 基片與摻雜材料直接接觸，后者固，液或氣體。 二者加熱800-1000℃，熱能?，摻雜物和基片原子比室溫活潑。 基片原子受晶格限制，平衡位置附近振動。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,① 擴 散 ② 離子交換與質子交換 ③

33、 離子注入,,,基片原子沿與雜質原子反方向擴散——向外擴散。,向內擴散用于制波導裝置； 如LiNbO3基片放層金屬Ti，擴散形成Ti:LiNbO3波導。,向內擴散,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,① 擴 散 ② 離子交換與質子交換 ③ 離

34、子注入,交換過程：基片和某種材料熔融物。 某種活潑離子在基片中濃度比熔融物中高；另種活潑離子在熔融物中濃度比基片中高。基片浸入熔融物，低T（200-400℃），兩種離子相對擴散，基片和熔融物成分交換。 二者極化率差引起n變，用于制造波導。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開

35、關和調制器 三、干涉濾波器,① 擴 散 ② 離子交換與質子交換 ③ 離子注入,掩模對離子起擋板作用， 離子通過開槽運動，開槽區(qū)：Na+脫離基片向熔液擴散；Ag+向基片擴散，取代Na+位置。輕Na+被重Ag+取代基片窄條n?，形成條紋通道波導。外加E強化Ag+向基片擴散，縮短t，得較深均勻擴散。,圖基于離子交換用鈉鈣玻璃（SiO2，Na2O和其他金

36、屬氧化物混合物）制通道波導原理。,玻璃基片涂掩模，上開窄條形槽，浸入AgNO3熔融物。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,① 擴 散 ② 離子交換與質子交換 ③ 離子注入,離子注入——用于半導體摻雜。原理： 離子進基片，不同方式高真空進行，

37、裝置復雜昂貴。 離子源熔融爐，靜電法抽取離子束，含不同離子， 注入元素單電荷離子，有雙電荷和雜質離子。 對電荷或原子重量敏感濾波器（質量或維恩Wien過濾器）， 選種離子，選出離子束被高壓（100-1000kV）加速，離子高速打擊基片，進入。,進入基片離子與基片原子不斷碰撞損失能量。 最終某深度停，實現離子注入。 基片原子碰撞錯位，注入結束對基片退火。

38、,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,① 擴 散 ② 離子交換與質子交換 ③ 離子注入,膜層制好，成形，去除不需材料——刻蝕。 去除或刻蝕，依據純物理或化學過程，可結合。 根據：是否要求真空和 有無用掩模分類。,早期化學濕刻蝕；

39、現代微加工含真空刻蝕； 后者——刻蝕。 設備復雜，改進控制水平，有高度可選擇性和定向性優(yōu)點，廣泛用。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,干刻蝕：純物理，物理/化學結合法。 物理法（1）——濺射法： 被刻蝕材料原子受離子轟擊從表面發(fā)

40、射。 過程射頻濺射刻蝕，射頻濺射沉積變型，電極連接與沉積過程相反，基片不是靶被轟擊，離子打擊基片有角度，刻蝕有方向性。 物理法（2）——離子束刻蝕：直流濺射鍍膜變型。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,刻蝕需定位。 希望對基片小面積刻蝕

41、，基片沉積層掩模，需要刻蝕基片位置對掩模開槽。 對掩模材料性質要求有比基片低得多濺射速率，比基片被刻蝕更慢。 純物理法對不同材料刻蝕速度差別小，掩模與基片以相同速率被刻蝕，刻蝕深度受限。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,解決刻蝕深度受掩模

42、限制措施： 用無掩模選擇性刻蝕——聚焦離子束（FIB）微加工技術，將離子束控制在小范圍局部濺射。 為將基片上對離子曝光區(qū)限制在一小點，濺射高度定位，計算機控制，基片上刻要求圖案。 不存在掩模問題，允許刻蝕深度達數十?m，光電子學領域應用。 缺點： 串行過程，生產效率受限； 濺射材料在表面其他處重沉積。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5

43、. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,FIB缺點由活性離子刻蝕（RIE）克服。 物理和化學結合，類濺射技術，惰性氣體被活性分子氣體取代。 氣體分解產物（離子）與基片反應在低溫形成易揮發(fā)化合物。 并行過程，借助掩模大面積快速刻蝕；選擇掩模材料和工作氣體，允許深層刻蝕；氣流有方向性，刻蝕高度定向；生成物從基片表面抽走，避免重新沉積。理想刻蝕法。,無

44、掩模選擇性刻蝕——聚焦離子束（FIB）缺點： ① 串行過程，生產效率受限； ② 濺射材料在表面其他地方重新沉積。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,AlTi,制造Ti:LiNbO3方向耦合波導掩模板平面圖。 一

45、層Ti金屬圖案， 確定擴散區(qū)（無陰影）； 另層A1金屬圖案， 確定電極輪廓（陰影）；,對每層分別作塊模板，高精度將二者套準； 光學法將模版上圖案轉換到基片； 原理：用光敏有機材料或感光樹脂特性。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性

46、5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,工藝： 制備一塊掩模板——一片玻璃， 覆Cr金屬暗板；印刷方式將此主板拷貝到基片上。,圖轉換過程，基片鍍帶感光性樹脂成圖形膜，高倍顯微鏡將掩模板與基片對準緊固一起;,紫外光UV對樹脂曝光； 基片顯影，膜上得樹脂

47、圖案； 不希望膜光刻； 去除剩余樹脂，得波導裝置。,1. 平板波導加工 2. 基片的制備 3. 波導膜的沉積與生長,4. 材料的改性 5. 刻 蝕 6. 金屬板印刷,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,結構簡單、使用廣泛波導裝置開關和調制器。應用： 光波網絡伺服，保護裝置及旁通開關，信號處理中可編程延時線； 用于t分割多路通信系統(tǒng)高速開關，允

48、許幾個低比特率通道共享同一單模光纖寬頻帶； 信號編碼外調制器，光學開關有兩個或以上可供選用輸出端； 對稱系統(tǒng)，有相應數量輸入端。,開關參數： 開關驅動電壓； 開啟與導通態(tài)間串擾； 光學插入損耗。 對t分割多路傳輸及信號編碼，開關速度重要。 方向耦合器： 平衡橋干涉儀； 交叉波導開關； 它們變型。,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,不

49、同形式耦合器各種功能： ?濾波； 偏振選擇。,可調衰減器,波導型定向耦合器,1. 方向耦合器 2. 濾波器和偏振選擇裝置,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,硅絕緣體（SOI）電光調制器結構,集成光波導耦合器,1. 方向耦合器 2. 濾波器和偏振選擇裝置,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,LiNbO3光調制器是Mach-Zehnder（馬赫—曾德爾）干涉儀（MZI）行波電極強

50、度光調制器。,1. 方向耦合器 2. 濾波器和偏振選擇裝置,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,方向耦合器由一對相距近相同條狀波導組成。 兩波導消逝波重疊，從一波導輸入光通過耦合進入第二個波導。單位長度耦合系數依賴：波導參數、導波?及兩波導間隙。 特性由兩波導傳播常數差?? 及耦合長度L表示： N1和N2兩波導有效n. 定義：,集成光波導耦合器,1. 方向耦合器 2. 濾波器和偏振選擇裝置,一

51、、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,歸一化參量,缺點： 無外加V實現渡越，互作用長度L精確=耦合長度整數倍，制造難； L相當于Lc（耦合長度）若干倍，要求L較大，需高驅動V.,表現狀態(tài)：要求導通與開啟態(tài)間有小串擾開關，第一問題嚴重，L’≠nL調制器（n整數），導通態(tài)高損耗； 低V下高速調制，第二問題嚴重，

52、 ?電極間隙使要求驅動V?.,1. 方向耦合器 2. 濾波器和偏振選擇裝置,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,波導濾波器,單模波導濾波器重要元件用于多路通信系統(tǒng)長歷史。 濾波器參數： 中心?；通帶寬度； 峰值濾波效率； 旁瓣等級和 電氣可調諧性。,1. 方向耦合器 2. 濾波器和偏振選擇裝置,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,波導濾波器,濾波帶寬取決應用

53、： 使容差最小，用寬帶濾波器； 有很好控制源多路通信，要求濾波器窄帶寬。 對系統(tǒng)設計者，能有效覆蓋較大帶寬范圍濾波器重要。,1. 方向耦合器 2. 濾波器和偏振選擇裝置,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器,干涉型光開關,X交叉型,圖干涉濾波器。 兩臂長度不等Y形分叉干涉儀，分束器和復合器有與干涉調制器相應器件同樣功能。,MD型,一、波導的制造 二、開關和調制器 三、干涉濾波器