ZnO壓敏電阻的低溫燒結及晶界電性能研究.pdf

1、ZnO 壓敏電阻具有優(yōu)良的非線性，較強的抗浪涌能力和很好的工作穩(wěn)定性，是壓敏電阻系列中最常用的一種。隨著電子技術的發(fā)展，片式壓敏電阻和疊層壓敏電阻在電力電子等不同領域的應用越來越廣泛，技術發(fā)展的趨勢要求壓敏電阻能在低溫燒結的情況下實現(xiàn)低壓化。本文在大量文獻的基礎上，嘗試研究較低壓敏場強下低溫燒結的實現(xiàn)。
　　 本文研究的主要內(nèi)容包括：
　　 討論了壓敏電阻V-I特性，ZnO 壓敏電阻的常見組分及作用，燒結后陶瓷中的相成分

2、，摻雜物的添加對于壓敏電阻性能的影響。添加改性添加劑，觀察WO3、Cr2O3、Ni2O3、Nb2O5、SiO2、H3BO3、SnO2、CaCO3、ZnC2O4和3Zn（OH）22ZnCO3 摻雜及摻雜量對于電性能的影響，得到0.1mol%H3BO3 摻雜的八元系ZnO 壓敏電阻配方。其在1000 ℃燒結時，E1mA=56V/mm，α=29.6，漏流為0.2 μA。
　　 討論了低溫燒結的機理及實現(xiàn)途徑，研究了三種玻璃的摻雜對于Z

3、nO 壓敏電阻電性能的影響，根據(jù)其微觀結構及相組成，討論了各種玻璃摻雜及不同摻雜量的作用。
　　 得到了電性能較好的摻玻璃配方。研究了ZBG 摻雜的ZnO 晶粒生長動力學，得到摻玻璃后ZnO 晶粒生長指數(shù)在1050 ℃以下近似為5，激活能為320KJ/mol；在大于1050℃燒結時生長指數(shù)近似為3，激活能約為240KJ/mol。
　　 探討Mn，Co的添加在ZnO 壓敏電阻中的作用。得到不同添加量的Mn、Co對于電性能的