AZO薄膜的制備和性能研究及其在CIGS太陽能電池中的應用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在當今世界能源危機日益嚴重的形勢下,人們對太陽能電池的研究取得了很大的發(fā)展。高質量的太陽能電池,特別是薄膜太陽能電池,其性能強烈的依賴于作為窗口電極的透明導電膜層的性能。目前ZnO:Al透明導電材料以其自身的一些優(yōu)勢成為了太陽能電池窗口層最常用的材料。因此,與太陽能電池的制備工藝整合起來研究AZO透明導電薄膜的制備工藝,對于太陽能電池光轉化效率的提高和整個光伏產業(yè)的發(fā)展具有重大的意義。
  本試驗采用射頻磁控濺射法,以2wt%A1

2、2O3的ZnO靶材在玻璃襯底上制備AZO薄膜,分別研究濺射氣壓、濺射功率、襯底加熱溫度以及薄膜厚度對薄膜光電性能的影響,同時,考慮這些制備參數在應用于CIGS太陽能電池時的適用范圍,并將AZO薄膜的制備與CIGS太陽能電池制備工藝整合起來,研究薄膜性能對電池性能的影響。
  在AZO薄膜的制備與性能研究中,我們以電學性能為參照標準,得出最佳濺射氣壓為0.05Pa,最佳濺射功率為750W,最佳襯底加熱溫度為220℃。在最佳制備工藝參

3、數條件下,所制備的AZO薄膜的方塊電阻最低為6.005Ω/sq,電阻率最低為5.9×10-4Ω·cm,遷移率最高為20.3cm2/V·S,同時,可見光區(qū)范圍內透過率為87.5%。在對濺射氣氛中摻氫制備的AZO薄膜的研究中發(fā)現,用高鋁含量的ZnO靶材摻氫后制備的AZO薄膜其光電性能,尤其是近紅外波段的光透過率并沒有提高,這可能是因為靶材中鋁的含量已經很高,導致薄膜中的載流子濃度依然很高,所以近紅外波段的自由載流子吸收依然很高,氫的摻雜起不

4、到降低光吸收的作用。
  我們將AZO薄膜的不同制備工藝應用于CIGS薄膜太陽能電池,來研究AZO薄膜的制備工藝對電池性能的影響。結果顯示,過高的濺射功率和襯底加熱溫度會使電池的性能受到損壞。最終,我們優(yōu)化出應用于CIGS薄膜太陽能電池窗口層的AZO薄膜的最佳制備工藝參數為:濺射氣壓0.05Pa、濺射功率750W、襯底加熱溫度160℃、薄膜厚度700nm。改進電池吸收層的制備工藝后,以此工藝沉底電池窗口層,獲得的電池效率最高達到了

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