GaAs光陰極制備自動化技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、砷化鎵(GaAs)負電子親和勢(NEA)光電陰極具有光譜響應范圍寬、靈敏度高、暗發(fā)射小、發(fā)射電子能量分布及角度分布集中、擴展?jié)摿Υ蟮忍攸c，它和微通道板(MCP)、熒光屏及高壓電源構成三代像增強器。這類像增強器大大擴展了夜視儀器的長波閾，將儀器的視距提高了1.5～2倍，改善了觀察效果，并具有體積小、重量輕、線路簡單、附屬設備少的特點，從而開拓了微光夜視儀在遠距離偵察、夜航和衛(wèi)星定位等方面的應用。國內對三代像增強器的研究起始于七十年代，始終

2、受到國家的大力支持，近幾年來取得了很大發(fā)展，但在靈敏度、穩(wěn)定性、噪聲、壽命等方面仍遠落后于美國等先進國家。光電陰極是三代像增強器性能的決定性因素之一，目前，國外生產的反射式NEA光電陰極的靈敏度一般均在2000μA/lm以上，最高可達3200μA/lm，透射式陰極的靈敏度也在1500μA/lm以上，高的可達2700 uA/lm，壽命一般超過7500小時，國內制備的反射式陰極的靈敏度可以達到2000μA/lm，透射式陰極的靈敏度可以達到1

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