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文檔簡(jiǎn)介
1、本論文從優(yōu)化電傳輸性能和熱傳輸性能的角度出發(fā),采用固相反應(yīng)法合成了單相的Ti1-x(Hf0.919-Zr0.081+z)xNiSn1-ySby(x=0.00-0.25,y=0.00-0.01,z=0.00-0.05),并用放電等離子燒結(jié)(SPS)方法制備出密實(shí)塊體材料,研究了Hf和Zr同時(shí)在Ti位上的等電子合金化和Sb在Sn位上的摻雜對(duì)Ti基half-Heusler化合物熱電性能的影響規(guī)律。 研究結(jié)果表明:少量的Hf和微量的Zr
2、在Ti位上的等電子合金化,顯著的降低了材料的熱導(dǎo)率κ,同時(shí)顯著提高了材料的Seebeck系數(shù)α,組成為Ti0.85(Hf0.919Zr0.081)0.15NiSn的試樣室溫?zé)釋?dǎo)率為3.72Wm-1K-1,在700K時(shí),ZT值達(dá)到最大值為0.56,與三元TiNiSn相比,在相同溫度下,ZT值的提高率為190﹪-310﹪。 固定Ti的含量,改變Hf和Zr的比例,隨Hf含量的增加,材料的電導(dǎo)率降低,Seebeck系數(shù)增加,熱導(dǎo)率降低,
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