90nm邏輯產品Peeling缺陷的解決方案.pdf

1、隨著計算機等家用電子產品技術的不斷進步和更新換代,我們的生活已經進入了電子時代。同時我們也正經歷著一場新的技術革命,而這場技術革命的原動力正是半導體產業(yè)的不斷創(chuàng)新,推動創(chuàng)新的就是半導體設計和制造工藝的不斷提升。
　　 目前,國際上的半導體制造工藝已經進入了納米時代,世界級的制造企業(yè)已經進入了45nm工藝的大量量產,中芯國際也與去年引進了IBM公司的45nm工藝的技術,預計今年年底可能投產。而目前中國國內能大量量產的最先進的工藝是

2、90nm,65nm工藝,又以90nm的工藝最為成熟。正如我們所知的,隨著半導體從微米時代進入到亞微米時代,再到納米時代;晶園的尺寸也由原來的150毫米到200毫米,再到今天的300毫米。本文研究的就是在300毫米晶園上90納米邏輯制程上的缺陷問題。
　　 光刻工藝通過曝光的方法將掩模上的圖形轉移到涂覆于硅片表面的光刻膠上,然后通過顯影、刻蝕等工藝將圖形轉移到硅片上。光刻工藝直接決定了大規(guī)模集成電路的特征尺寸,是大規(guī)模集成電路制造

3、的關鍵工藝。另外,光刻工藝還有著另一個很大的作用就是是離子植入的基礎,為離子植入制作阻擋層。微影工藝的好壞往往決定了集成電路的最終結果。
　　 微影要做的就是為蝕刻和離子植入“開窗”。在這個開窗區(qū)域,我們或蝕刻,做出我們需要的線寬;或植入離子,摻入我們需要的雜質,從而做出我們需要的器件和互連線。
　　 微影工藝有兩個關鍵:(一)做出符合目標需要的窗口尺寸(二)盡量減少在工藝過程中產生的缺陷。
　　 第一點,無需拗

4、述,這是微影的靈魂,更是其他工藝的基礎。但是第二點同樣重要,特別是在商業(yè)化生產的集成電路行業(yè),因為它往往會影響芯片的最終良率,而良率的好壞又是產品是否擁有價格優(yōu)勢的關鍵,它也是考量fab工藝是否成熟可信的一個關鍵參數。
　　 在我們300毫米90納米邏輯產品的生產過程中發(fā)現了Peeling缺陷的問題,主要是在離子植入層,這些缺陷因為是可動的,他們可能會覆蓋在有源區(qū),從而影響該區(qū)域的離子植入的計量,最終體現在最終的產品上就是速度變