羥基鋯柱撐二硫化鉬的制備及其催化加氫性能.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、二硫化鉬為層狀半導體化合物,層與層之間以較弱的范德華力相互作用,具有各向異性和良好的電學、磁學、催化等性能。通過結構調控手段,可將許多異類原子或無機、有機離子或分子嵌入其層間,形成新型功能材料。此類材料可激發(fā)出優(yōu)異的物理化學性能,在工業(yè)催化、環(huán)境保護和能源開發(fā)等領域具有良好的應用前景。 本文采用單分子層剝離-重堆積技術,將羥基鋯聚合陽離子嵌入到二硫化鉬板層間,得到了層間距為1.052 ~ 1.612 nm,層間距增量為0.437

2、 ~ 0.997 nm的柱撐復合材料。結果表明,客體鋯離子主要以[Zr4(OH)16-n(H2O)8+n]n+ (記為Zr4)的形式存在于主體層間域中,并有單層和雙層錯開兩種可能排列方式。采用取代法,通過控制柱撐液中Al/Zr、Fe/Zr、Co/Zr和Ni/Zr物質的量之比,獲得了具有不同結構的羥基鋁鋯、鐵鋯等聚合羥基陽離子。將它們嵌入到二硫化鉬板層間,可得到層間距增量分別為0.797 ~ 0.918 nm、0.855 ~ 0.917

3、nm、0.486 ~ 0.956 nm和0.552 ~ 0.937 nm的二元金屬復合柱撐材料。XRD、IR與DSC等分析表明,各柱撐材料保留有基體二硫化鉬的結構特征;少量Al3+、Fe3+、Co2+和Ni2+加入到鋯柱撐液中,均會取代Zr4+形成具有Zr4結構的復合陽離子柱子;隨著異金屬離子涉入量的增加,鋯柱撐液原有的水解平衡遭到破壞,制得復合柱撐材料的層間距和結晶度會逐漸降低。另外,Al3+、Co2+ 和Ni2+ 單一金屬離子也可分

4、別以[Al13O4(OH)24+x(H2O)12-x](7-x)+、[Co(H2O)n]2+ 和[Ni(H2O)n]2+ 的形式嵌入板層間。硝基苯催化加氫結果表明,相同條件下,柱撐材料Zr-MoS2及二元柱撐材料Al/Zr-MoS2、Fe/Zr-MoS2、Co/Zr-MoS2和Ni/Zr-MoS2的催化活性是未柱撐2H-MoS2的2 ~ 5倍,對應硝基苯的轉化率也有相同的提高幅度。這說明經柱撐改性后,材料活性部位比例增大,二硫化鉬的催化

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