氧化鋅低維納米結構的制備及發(fā)光研究.pdf

1、ZnO是一種直接帶隙的半導體材料，室溫下帶隙寬度為3.37eV，激子束縛能高達60meV。ZnO納米結構，由于在未來光電子器件方面的廣闊應用前景，正受到人們廣泛的關注。本文進行了ZnO納米晶中可見光發(fā)射的控制、ZnO納米片的制備與高溫發(fā)光和ZnO材料高壓下物性等方面的研究工作。具體研究內容如下： 1、在對ZnO中可見光發(fā)射機制的研究中，利用P3-離子熱擴散進入ZnO納米晶鈍化了ZnO中深缺陷發(fā)射中心，提高了紫外發(fā)射效率，并利用多

2、次循環(huán)退火改變了ZnO納米晶薄膜的結構和P3-離子的濃度，通過對ZnO納米晶表面的鈍化和去鈍化過程，實現(xiàn)了對ZnO納米晶薄膜中可見光發(fā)射的控制。 2、用汽相輸運方法生長出形貌規(guī)則、平整，缺陷和雜質濃度極低的ZnO單晶納米片狀結構材料。利用ZnO單晶納米片與空氣形成的空氣/ZnO片/空氣微腔波導結構獲得了有效的光學增益，在室溫下獲得了高出一般ZnO薄膜1000倍的紫外發(fā)射，并在高溫(857K)下探測到了強的帶邊發(fā)射，為研制高溫下工