在柔性襯底上制備多晶硅薄膜的研究.pdf

1、洳；：j。暗碩L：學(xué)位論文⑦論文題目壟塞絲盟廈』劍釜壘晶硅煎絲盟嬰塞作者姓名—————jL整————一指導(dǎo)教師———j至置——副研建雖一———塵堪￡——塾攫—一學(xué)科瀠業(yè))撾魁塹堡皇絲生所在學(xué)院———圭蛙攔碰E出韭L—一提交日期ZQQ!生5旦四、在間歇供氣法基礎(chǔ)上首次提出利用間歇供氣常規(guī)兩步法通過(guò)熱絲化學(xué)氣相沉積在柔性襯底聚酰亞胺材料上制備多晶硅薄膜。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)間隙供氣階段間隙次數(shù)大于兩次時(shí)才出現(xiàn)結(jié)晶相，間隙三次后結(jié)晶相比較明顯。五、通過(guò)表

2、面擴(kuò)散模型和刻蝕模型的結(jié)合很好地解釋間隙供氣方法和常規(guī)方法的實(shí)驗(yàn)結(jié)果差別。間歇供氣與常規(guī)方法相比主要是增加了氫氣單獨(dú)作用的時(shí)間。氫氣的作用一方面破壞了薄膜的非晶相結(jié)構(gòu)，另一方面促進(jìn)了硅原子的表面擴(kuò)散，從而幫助硅原子找到合適的位置形成晶核并生長(zhǎng)。六、利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在柔性襯底聚酰亞胺材料和玻璃襯底上制備的硅薄膜均為非晶硅，對(duì)薄膜進(jìn)行后續(xù)熱處理也無(wú)法使薄膜晶化，這可能和我們進(jìn)行熱處理的溫度、時(shí)間以及襯底材料等有關(guān)。七、利用金屬