多孔硅-納米氧化鋅復合材料發(fā)光的研究.pdf

1、　　隨著信息技術的日益發(fā)展，人們對信息的傳遞速度、儲存能力、處理功能提出更高要求。硅(Si)電子集成電路受到器件尺寸和Si中電子運動速度的限制。硅基發(fā)光材料就是由于其在硅基光電子集成方面的潛在應用而成為人們關注的焦點?！　∧壳?，越來越多的實驗表明PS的光激發(fā)與量子限制效應有關，而PS的輻射復合主要與表面態(tài)或表面發(fā)光中心有關。在應用研究方面，對于PS的光致發(fā)光，我們可以很容易的獲得多孔硅的紅光到黃光發(fā)射，但其發(fā)光效率偏低，而且發(fā)光性質很

2、不穩(wěn)定，對制備和存放條件的變化非常敏感。因此如何提高多孔硅的發(fā)光效率、增強其穩(wěn)定性，以及擴大多孔硅發(fā)光的波長范圍，成為近年來該領域研究的熱點?！　≡诒菊撐闹?，我們首先采用一種全新的電化學沉積法，在非水溶劑(乙醇)中，制得了室溫下有強的光致熒光發(fā)射的納米氧化鋅，并對其形成條件，形成機理進行了系統(tǒng)的研究。通過X射線衍射和透射電鏡電子衍射分析確認樣品為氧化鋅，具有纖鋅礦結構。熒光分析采用PERKINELMERLuminescenceSpec

3、trometer和960CRT分光光度計，并用能帶理論解釋了氧化鋅熒光發(fā)射的機理?！　∑浯?，我們使用納米ZnO對多孔硅進行修飾，一種方法是用新制多孔硅做陰極，在乙醇中，采用前面的方法在多孔硅的表面制得了一層納米氧化鋅薄膜，另一種方法是用磁控濺射的方法在新制多孔硅上濺射了一層納米氧化鋅薄膜，濺射所用氧化鋅靶為分析純氧化鋅壓制而成。將兩種方法制得的多孔硅/氧化鋅樣品在N2保護下300℃退火30min。使用金相顯微鏡對退火前后的樣品進行了表