氧化鋅納米線的合成及其在碳微陣列上的集成工藝的研究.pdf

1、隨著信息技術(shù)的迅猛發(fā)展，納米技術(shù)不斷的進(jìn)步，納米材料由于其擁有的特殊的性能受到越來(lái)越多的關(guān)注。納米ZnO有許多特點(diǎn)，其帶隙寬度為3.37eV，而激子束縛能60meV，大于室溫下的熱離合能，又可以在紫外光的激發(fā)下發(fā)生輻射。氧化鋅在太陽(yáng)能電池、短波長(zhǎng)發(fā)光器件、壓電傳感器等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。如何進(jìn)行氧化鋅納米線的可控生長(zhǎng)是研究的重點(diǎn)，本文通過(guò)多種方法進(jìn)行了納米ZnO生長(zhǎng)研究，探究了不同生長(zhǎng)機(jī)制下ZnO的不同形貌和特性。
　　本文首

2、先簡(jiǎn)單是介紹了納米科技，然后從氣相生長(zhǎng)法和液相生長(zhǎng)法兩個(gè)方面，介紹了一些生長(zhǎng)納米結(jié)構(gòu)的方法，分析了不同方法的特點(diǎn)和生長(zhǎng)機(jī)理，然后介紹了一些表征納米材料各方面性能的主要手段及其特點(diǎn)。
　　接下來(lái)介紹了納米ZnO的特性及其國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀，并闡述了納米ZnO的應(yīng)用。
　　然后我們先用濕法中的水熱法進(jìn)行了ZnO納米線的生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)的研究，分析了生長(zhǎng)時(shí)間、種子層的制備等參數(shù)在水熱法生長(zhǎng)ZnO中的意義，并對(duì)生長(zhǎng)得到的ZnO進(jìn)行了外貌、結(jié)構(gòu)、

3、成分等各方面的表征和研究，對(duì)其生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了探究。
　　接著我們用干法中的化學(xué)氣相沉積法，并結(jié)合已有的C-MEMS（Carbon Micro-Electro-Mechanical System）工藝平臺(tái)，進(jìn)行了干法制備ZnO的生長(zhǎng)研究。主要介紹了C-MEMS工藝，在制備中通過(guò)添加氧化鋅粉末或者濺射氧化鋅等不同的方法來(lái)提供反應(yīng)源，最后對(duì)不同方式生長(zhǎng)得到的氧化鋅進(jìn)行了外貌、結(jié)構(gòu)等各方面的表征和研究，探究各種溫度等參數(shù)化學(xué)氣相沉積法制備