基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的OTP存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與研究.pdf_第1頁(yè)
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1、在ASIC電路設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)需要一些低成本低密度的非易失性存儲(chǔ)器件，但是工藝的復(fù)雜性阻礙了傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器件嵌入到標(biāo)準(zhǔn)CMOS電路中，這是由于傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器需要多層多晶硅，不同的柵氧化層厚度，以及需要調(diào)整不同的摻雜濃度等等，都增加了工藝的成本和復(fù)雜性。如果利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶體管來(lái)實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器，這樣就不需要額外的掩膜或工藝步驟，降低了制造成本。 本文基于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的OTP存儲(chǔ)器單元，設(shè)計(jì)一個(gè)存儲(chǔ)密度為32

2、bits的OTP存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器讀取時(shí)間為30ns，工作電流為12．7μA/bit，靜態(tài)功耗為0．72μA。文中詳細(xì)的介紹了基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的OTP存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，并通過(guò)對(duì)閾值電壓的分析，展示了OTP存儲(chǔ)器單元的編程、擦除以及讀取的工作機(jī)制。在電路設(shè)計(jì)方面，詳細(xì)的介紹了OTP存儲(chǔ)器各功能模塊的工作原理和設(shè)計(jì)方法，并分析比較了各種架構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)器版圖實(shí)現(xiàn)過(guò)程中出現(xiàn)的問(wèn)題，給出了很好的建議以及解決方法。同時(shí)對(duì)所設(shè)計(jì)的OTP存儲(chǔ)器

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