重摻硼直拉單晶硅中缺陷的研究.pdf

1、以重摻硼直拉單晶硅片為襯底的p/p+外延片用于制造集成電路時，可避免CMOS器件的閂鎖效應。因此重摻硼直拉硅單晶是一種重要的硅材料。重摻硼除了提高單晶硅的電導率以外，還會對單晶硅的缺陷產(chǎn)生影響。本論文研究了重摻硼對直拉單晶硅中的位錯和氧沉淀的影響，得到如下主要結論：
　　 (1)對重摻硼直拉單晶硅中原生位錯的形成進行了研究。結果表明，當硼的摻雜濃度高于7×1019 cm-3時，單晶硅中產(chǎn)生原生位錯，它們以一定的形態(tài)集中分布于晶體

2、截面的某些位置而不擴展到整個截面。將存在原生位錯的硅片進行多種條件下的退火，結果顯示：高溫熱處理可使原生位錯減少，特別是在1000℃保溫1小時后原生位錯幾乎消失。
　　 (2)研究了重摻硼對單晶硅中位錯運動的影響。結果表明：高濃度的硼雜質對位錯滑移具有一定的釘扎作用。單晶硅中硼的濃度越高，位錯滑移激活能越大，位錯滑移速度越慢，位錯滑移距離的最大值越小，且到達該最大值所需的熱處理時間越長。
　　 (3)研究了不同摻雜濃度的