半導體材料GaN和ZnO的制備，晶體生長及表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文旨在探索無機半導體晶體材料的化學合成與生長路線。以水熱、溶劑熱技術為基礎，利用各種控制方法和反應路線制備了多種半導體晶體，豐富和發(fā)展了水熱法和溶劑熱法制備技術。論文主要內容歸納如下：1.利用溫和的反應路線，在高壓釜內采用分置Ga源(金屬Ga單質)和N源(NaNH2)的方法，通過擴散使它們逐漸接觸，最終完成化學反應。實驗溫度從以往的高溫合成降低至400-500℃，壓強控制在100-500atm范圍內。通過控制反應溫度、反應時間等條件

2、，來合成GaN納米晶。用粉末X射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)、拉曼光譜和紅外光譜對產(chǎn)物進行了表征，并進一步研究其合成機理和物理化學性能。2.以傳統(tǒng)的水熱法為基礎，輔以溶劑揮發(fā)技術，即水熱卸壓法生長ZnO單晶，豐富和發(fā)展了水熱晶體生長技術。反應在堿性溶液中采用H2O2來氧化Zn單質。通過對體系飽和蒸氣壓、反應物濃度、溫度、時間、PH值等反應條件的調節(jié)制備ZnO，實現(xiàn)了高質量ZnO的體相單晶的快速生長。用X射線衍射(XRD)，

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