等離子體顯示板放電單元的特性研究.pdf

1、本文基于帕邢定律，采用數(shù)值模擬的方法，研究了不同結(jié)構(gòu)PDP放電單元靜態(tài)和動(dòng)態(tài)著火電壓的情況。所編制的計(jì)算軟件考慮到各種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，具有一定的通用性。利用該軟件計(jì)算了表面放電結(jié)構(gòu)PDP(ACCPDP)和蔭罩式PDP(SMPDP)中，沿不同放電路徑著火電壓的分布情況，并研究了放電單元中單元高度、介質(zhì)層厚度和介電常數(shù)、熒光粉層厚度變化對(duì)于著火電壓的影響，模擬發(fā)現(xiàn)，SMPDP的著火電壓低于ACCPDP，且上述結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化對(duì)于SMPDP的影響均

2、接近或小于ACCPDP。本文還研究了尋址期ACCPDP中X電極偏壓和SMPDP中障壁電位對(duì)于放電的影響。模擬發(fā)現(xiàn)，尋址期在ACCPDP的X電極加一定的正偏壓和在SMPDP的障壁上加低負(fù)壓，都能達(dá)到較好的壁電荷積累。 本文在理論計(jì)算的基礎(chǔ)上，基于氣體放電相似性定律，設(shè)計(jì)和制作了ACCPDP和SMPDP以及對(duì)向放電結(jié)構(gòu)的放大單元；建立了包括高速ICCD、濾色系統(tǒng)、數(shù)字時(shí)序控制電路、高壓驅(qū)動(dòng)電路的PDP光發(fā)射測(cè)試系統(tǒng)，利用實(shí)驗(yàn)方法，對(duì)

3、PDP的某些放電特性進(jìn)行研究。 本文拍攝了ACCPDP和矩陣對(duì)向放電單元(ACM)放電過(guò)程，并且研究了ACCPDP維持放電過(guò)程中，紅外譜線和640nm譜線的分布情況，上述結(jié)果與參考文獻(xiàn)中的結(jié)果基本一致，這為放大模型和測(cè)試系統(tǒng)的正確性提供了佐證。本文拍攝了ACCPDP尋址放電過(guò)程，并研究了不同Vx偏壓對(duì)于尋址放電的影響，放電過(guò)程中光發(fā)射分布間接證明了第三章模擬結(jié)果的正確性。本文還首次拍攝SMPDP放大單元和實(shí)際單元中放電過(guò)程，指出