脈沖激光法制備硅基ZnMgO合金薄膜及其特性研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、該文采用脈沖激光法,用四種Mg含量不同的陶瓷靶,ZnO、Zn<,0.8>Mg<,0.2>O、Zn<,0.63>Mg<,0.37>O、Zn<,0.58>Mg<,0.42>O,在不同襯底溫度下,500℃、550℃、600℃、650℃、700℃生長(zhǎng)ZnMgO合金薄膜.主要的研究工作如下:1.目前,ZnMgO合金薄膜大多數(shù)以藍(lán)寶石或ScAlMgO<,4>為襯底,該文首次報(bào)道了在硅襯底上用脈沖激光法沉積ZnMgO合金薄膜.2.在國(guó)內(nèi)首次采用PLD

2、方法生長(zhǎng)ZnMgO合金薄膜.3.關(guān)于襯底溫度對(duì)ZnMgO合金薄膜的晶體質(zhì)量、光學(xué)特性等方面的影響的報(bào)道很少,該文率先對(duì)這方面進(jìn)行了探討.4.對(duì)生長(zhǎng)的ZnMgO合金薄膜做了室溫?zé)晒夤庾V(PL)測(cè)試,發(fā)現(xiàn)ZnMgO薄膜紫外發(fā)射峰相對(duì)ZnO的紫外發(fā)射峰產(chǎn)生藍(lán)移,即由于Mg的摻入,ZnMgO薄膜的禁帶寬度增大.5.研究了不同靶材對(duì)合金薄膜晶體質(zhì)量的影響.6.在ZnMgO合金薄膜分別在氧氣、氮?dú)庵?00℃退火1小時(shí),初步研究了不同退火條件對(duì)薄膜晶

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