X波段GsN內(nèi)匹配功率放大器的理論與設(shè)計(jì).pdf

1、氮化鎵(GaN)——作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度高、擊穿電場(chǎng)高等特點(diǎn)。采用GaN材料制作的AlGaN/GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)，相比砷化鎵(GaAs)基場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)可以實(shí)現(xiàn)高頻更大功率的輸出，是當(dāng)前國(guó)際上微波功率晶體管研究的熱門(mén)。許多國(guó)家的研究機(jī)構(gòu)都研制出基于AlGaN/GaN HEMT的高性能放大器。本文就是基于AlGaN/GaN HEMT進(jìn)行X波段內(nèi)匹配功率放大器的設(shè)計(jì)工作進(jìn)行

2、討論研究。
　　 在對(duì)X波段AlGaN/GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程中，論文將討論三個(gè)的內(nèi)容。第一專題主要討論了AlGaN/GaN HEMT的器件工作原理，這將在第二章節(jié)內(nèi)容里具體闡述;第二專題主要討論了設(shè)計(jì)微波功率放大器需要的AlGaN/GaN HEMT的小信號(hào)等效電路模型，它是放大器輸入匹配電路設(shè)計(jì)的依據(jù); AlGaN/GaN HEMT的大信號(hào)輸出等效電路模型，它是作為放大器輸出匹配電路設(shè)計(jì)的依據(jù)，這些內(nèi)容都將

3、在第三章節(jié)里詳細(xì)討論。第三專題討論了X波段AlGaN/GaN HEMT內(nèi)匹配放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程，它包括放大器的電路拓?fù)洹⒎糯笃鬏斎胼敵銎ヅ渚W(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)、放大器偏置網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)、放大器的穩(wěn)定性以及放大器的測(cè)試結(jié)果分析等幾方面的內(nèi)容。這些內(nèi)容都將在論文的第四章節(jié)和第五章節(jié)里具體闡述。最終研制設(shè)計(jì)的AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器在7.7-8.2GHz頻帶內(nèi)連續(xù)波功率輸出大于100W，功率增益高于6dB，功率附加效率最高達(dá)到38.2％。<