GaAs光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)閃絡(luò)特性研究.pdf

1、高功率脈沖技術(shù)在國(guó)防建設(shè)和國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的作用日益明顯，許多大型尖端設(shè)備，如高功率脈沖激光器光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)、半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)、電子束觸發(fā)開(kāi)關(guān)等器件被廣泛地應(yīng)用和研究。為了設(shè)備的體積和自重更輕便，伺時(shí)保證較高的電效率，對(duì)脈沖功率的要求越來(lái)越高，高電壓、大電流、而且脈寬越來(lái)越窄（納秒、亞納秒），光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)(PhotoconductiveSemiconductor Switches，PCSS's)逐漸進(jìn)入了人們的視線(xiàn)，以其極高的開(kāi)關(guān)速度(上升時(shí)間小于2

2、00 ps)、極小的電感和較大的通流能力，受到國(guó)內(nèi)外研究者的極大重視。但是當(dāng)偏置電場(chǎng)較高時(shí)，開(kāi)關(guān)器件表面上會(huì)觀察到沿面閃絡(luò)和電流絲等現(xiàn)象，導(dǎo)致材料出現(xiàn)損壞甚至擊穿，這種半導(dǎo)體器件的工作場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于所用材料的本征擊穿場(chǎng)強(qiáng)，這使得開(kāi)關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域及開(kāi)關(guān)壽命受到極大的限制。
　　本文通過(guò)對(duì)GaAs光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)的背面觸發(fā)實(shí)驗(yàn)，表明光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)在背面觸發(fā)模式下同樣具有良好的工作狀態(tài)。認(rèn)為光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)閃絡(luò)的發(fā)生可分為三個(gè)階段:歐姆電導(dǎo)、局部閃絡(luò)和貫通