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文檔簡介
1、運(yùn)用掃描電鏡、透射電鏡、激光粒度分析儀等檢測(cè)手段,探討了體系中超細(xì)二氧化硅顆粒的形成機(jī)理和過程,指出超細(xì)二氧化硅粒子前期是由體系中的微晶核組成,中后期則由體系中的可溶性縮合物在其表面生長而成.討論了醇、水、氨、正硅酸乙酯、溫度、陳化時(shí)間等多種影響因素對(duì)顆粒粒徑及粒徑分布的影響,得出了制備超細(xì)二氧化硅粒子的優(yōu)化的工藝條件.通過控制以上各工藝條件或采用分步加料法,可以制備出粒徑在幾十納米至2微米之間粒度大小不同的超細(xì)單分散球形二氧化硅粒子.
2、以超細(xì)單分散球形二氧化硅粒子為載體,Ti(SO<,4>)<,2>為原料,成功制備了在二氧化硅粒子表面包覆二氧化鈦的復(fù)合粒子.并運(yùn)用掃描電鏡、紅外光譜和XPS等檢測(cè)手段對(duì)其進(jìn)行了表征和測(cè)試,從復(fù)合粒子的掃描電鏡照片中可以看出,復(fù)合粒子仍為球形,表面包覆一層TiO<,2>,與載體氧化硅粒子相比,粒徑變化不大;其紅外光譜表明,TiO<,2>與載體SiO<,2>粒子表面有Ti—O—Si鍵生成,這表明TiO<,2>與SiO<,2>粒子表面有較強(qiáng)的
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