高沖擊環(huán)境下固態(tài)開關應用失效機理與預防技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、固態(tài)開關作為一種新型的功率半導體器件,以其優(yōu)異的性能在脈沖放電領域得到了比較廣泛的應用,其中最主要的就是應用于侵徹類武器系統(tǒng)當中,而侵徹過程屬于最典型的高沖擊環(huán)境。本文主要是對高沖擊環(huán)境下固態(tài)開關的應用失效機理以及預防措施進行了研究,而目前對于這方面的研究國內(nèi)還沒有相關報道。
  依據(jù)固態(tài)開關的等效拓展模型,建立起了固態(tài)開關在PSPICE軟件下的仿真模型,與其他類似模型不同的是,此模型在AK兩極間反向并聯(lián)了一個快速恢復二極管,解決

2、了以往的模型在回路放電時不能反向?qū)ǖ膯栴}。此模型能夠很好的模擬固態(tài)開關的工作特性,對于分析固態(tài)開關在高沖擊條件下的失效機理有著積極地意義。確定了固態(tài)開關應用在高沖擊環(huán)境下的最主要的失效模式:控制極(G)與陰極(K)之間擊穿,或者是陽極(A)與陰極(K)之間擊穿,并對其失效機理進行了分析和仿真。在此基礎上,提出了在固態(tài)開關陰陽兩極間加入吸收保護電路的措施,以防止固態(tài)開關陰陽兩極間出現(xiàn)大的瞬變電壓;提出了應用固態(tài)開關的串聯(lián)技術來提高其使用

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