980nm高功率波長鎖定半導體激光器內置光柵的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、高功率半導體激光器無論是作為泵浦源還是應用到其他方面，都需要在一定溫度范圍下有一個較窄的穩(wěn)定的光譜(＜1nm)。普通寬條形高功率半導體激光器在實際應用中的譜線寬度值比較大(4-5nm)，并且波長隨溫度變化穩(wěn)定性不好(0.3-0.4nm/K)。可以在激光器內部引入光柵器件或者在激光器外部用體布拉格光柵(VBG)來達到壓縮線寬的作用。為了達到最佳無損耗的狀態(tài)，低成本VBG波長鎖定裝置能在保證輸出功率和轉換效率的情況下，使激光器的遠場發(fā)散角較

2、小。相比之下，加入內置光柵的激光器才能達到最小的制備成本，在保證良好的性能的同時省去了復雜的外部光電器件。所以設計制備了含有內置光柵的高功率波長鎖定分布反饋半導體激光器(DFB-LD)。
　　本文的主要工作有三部分:1、提出了二階高功率DFB-LD邊發(fā)射的可能性，并且在理論基礎上設計DFB-LD的內置二階光柵，為了輸出高功率和達到波長鎖定，確定光柵的周期，占空比和光柵層的厚度等光柵參數(shù)。2、利用全息曝光系統(tǒng)制備二階光柵，并且不斷優(yōu)

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