半導體低維結構低溫光致發(fā)光特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在這篇論文里,首次詳細系統(tǒng)的研究了用MBE法生長的AlGaAs/GaAs量子阱Be淺雜摻樣品的低溫光致熒光行為,同時觀察到雜質相關的束縛激子和自由到束縛的復合躍遷的發(fā)光峰,并對于在不同的溫度和激發(fā)功率下的行為進行了研究,同時也研究了LP-MOCVD法生長的InAs/GaAs/InP量子點的低溫光致發(fā)光行為,同時對在低溫下量子點與溫度、激發(fā)功率以及引入表面張力以后對量子點熒光的影響進行了研究,解釋了低溫下激子的行為以及導致量子點熒光紅移或

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