多孔硅的電化學(xué)制備與光致發(fā)光.pdf

1、多孔硅的研究主要集中在提高其光致發(fā)光強(qiáng)度和穩(wěn)定性上,本論文通過(guò)電化學(xué)腐蝕制備多孔硅,研究了制備條件對(duì)多孔硅光致發(fā)光的影響,同時(shí)運(yùn)用酸處理和陰極還原處理探討了后處理對(duì)多孔硅穩(wěn)定性的影響。實(shí)驗(yàn)表明,對(duì)于固定濃度的腐蝕液,在腐蝕時(shí)間相同的情況下,隨著腐蝕電流密度的增大,多孔硅的光致發(fā)光強(qiáng)度先增加后衰減,說(shuō)明制備多孔硅存在最佳腐蝕電流密度。當(dāng)腐蝕溶液為V(HF):V(C2H5OH)=1:1,腐蝕時(shí)間為15min,比較理想的腐蝕電流密度是50 m

2、A／cm2。對(duì)于相同的腐蝕時(shí)間和腐蝕電流密度,隨著腐蝕液濃度的增大,多孔硅的光致發(fā)光強(qiáng)度先增加后衰減,說(shuō)明制備多孔硅存在最佳腐蝕液濃度。實(shí)驗(yàn)中,對(duì)應(yīng)腐蝕電流密度50mA／cm2,腐蝕時(shí)間10min,相對(duì)理想的腐蝕液配比是V(HF):V(C2H5OH)=1:3。對(duì)于相同的腐蝕液濃度和腐蝕電流密度,隨著腐蝕時(shí)間的增加,多孔硅的光致發(fā)光強(qiáng)度先增加后衰減,說(shuō)明制備多孔硅存在最佳腐蝕時(shí)間。對(duì)于腐蝕溶液為V(HF):V(C2H5OH)=1:1,電流

3、密度為10 mA／cm2,比較理想的腐蝕時(shí)間是15min。
　　 實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),隨著實(shí)驗(yàn)條件不同,多孔硅的發(fā)光峰位有“紅移”也有“藍(lán)移”現(xiàn)象,峰位發(fā)生移動(dòng)可能是由多孔硅的表面態(tài)引起。多孔硅放置過(guò)程中,其發(fā)光性能會(huì)衰減,但對(duì)樣品進(jìn)行后處理能改善其發(fā)光穩(wěn)定性。實(shí)驗(yàn)所得的數(shù)據(jù)和規(guī)律,可以用量子限制模型和發(fā)光中心模型解釋,但多孔硅的光致發(fā)光跟表面態(tài)也有密切關(guān)系。多孔硅的制備存在最佳條件,不同條件下制得的樣品其發(fā)光強(qiáng)度和峰值不同。為了獲得性