60W800MHz-900MHz射頻LDMOS器件結(jié)構(gòu)中場(chǎng)極板的設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、隨著射頻集成電路的迅速發(fā)展，射頻功率器件在個(gè)人消費(fèi)電子、移動(dòng)基站及軍用雷達(dá)等無(wú)線通訊設(shè)備上的需求與日俱增。由于現(xiàn)有的射頻功率器件大都存在工藝復(fù)雜、造價(jià)昂貴的缺點(diǎn)，所以迫切需要一種工藝簡(jiǎn)單、造價(jià)低廉且易于集成的射頻功率器件來(lái)滿足市場(chǎng)需求。
　　 由于橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件LDMOS具有高線性度及高功率增益等優(yōu)異的射頻性能，且與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容，其在射頻功率電路中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。本文主要對(duì)60W工作在800MHz-90

2、0MHz頻段的射頻LDMOS器件中的場(chǎng)極板結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究設(shè)計(jì)。針對(duì)現(xiàn)有柵場(chǎng)極板結(jié)構(gòu)LDMOS器件的不足，本文提出階梯淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)LDMOS器件。利用器件模擬軟件Silvaco對(duì)影響器件電學(xué)性能的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)，如場(chǎng)極板及溝槽工藝尺寸等進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。仿真結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)器件在大幅提高器件擊穿電壓的同時(shí)，能夠保持寄生電容及截止頻率基本不變。
　　 本文還重點(diǎn)設(shè)計(jì)了金屬源場(chǎng)極板結(jié)構(gòu)LDMOS器件，給出了影響器件射頻性能的寄生電容模型

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