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1、由于石墨烯在電、熱以及化學(xué)等領(lǐng)域均具有優(yōu)異的特性,因此受到各國(guó)研究人員的廣泛關(guān)注。將石墨烯的性能與場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)電荷響應(yīng)敏感的特點(diǎn)進(jìn)行結(jié)合,石墨烯場(chǎng)效應(yīng)器件已成為國(guó)內(nèi)外研究人員關(guān)注的新領(lǐng)域。而目前器件結(jié)構(gòu)與性能表征方面尚存在著挑戰(zhàn),主要原因?yàn)槭┑哪軒д{(diào)控仍未有穩(wěn)定有效的解決方式,導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)器件的性能不夠理想,從而制約了石墨烯在電子器件中的進(jìn)一步應(yīng)用。因此,調(diào)控石墨烯能帶結(jié)構(gòu),制備石墨烯場(chǎng)效應(yīng)器件,研究其信號(hào)響應(yīng)性能,具有重要的研究?jī)r(jià)
2、值。本論文開(kāi)展了石墨烯的生長(zhǎng)與表征、石墨烯場(chǎng)效應(yīng)器件的制備及性能研究等工作。首先釆用化學(xué)氣相沉積法與微機(jī)械剝離法分別獲得了石墨烯晶體,即石墨烯二維納米材料,前者得到的石墨烯需要采用濕法腐蝕的方法將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO2襯底基片上,然后分別利用光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡和拉曼光譜針對(duì)兩種方法制備的石墨烯進(jìn)行了表征,并從中挑選出晶體質(zhì)量較好的石墨烯薄膜制備石墨烯場(chǎng)效應(yīng)器件。該場(chǎng)效應(yīng)晶體管以石墨烯納米條帶為導(dǎo)電溝道層,以300n
3、m二氧化硅絕緣層為柵介質(zhì)層,以蒸鍍的Ti/Au合金為金屬電極。利用光刻、刻蝕、鍍膜等半導(dǎo)體加工技術(shù)完成了石墨烯場(chǎng)效應(yīng)器件的制備,并優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)。最后對(duì)該石墨烯場(chǎng)效應(yīng)器件的傳輸特性、光電特性與吸附特性進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明試驗(yàn)制備的晶體管為P型耗盡型,柵壓對(duì)源漏電流存在較為顯著的調(diào)控作用。該器件具備光電特性,具體表現(xiàn)為傳輸特性曲線在光照與黑暗條件下不同。但是,在測(cè)試過(guò)程中該器件的狄拉克點(diǎn)未能體現(xiàn),并且隨著器件在空氣中放置時(shí)間的增加,石墨
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