高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì).pdf

1、高壓浮柵驅(qū)動(dòng)集成電路以其體積小、可靠性高、外圍電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高頻開(kāi)關(guān)電源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。目前國(guó)內(nèi)對(duì)高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片的研究，重點(diǎn)在電路性能設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)、可靠性等方面，對(duì)于芯片測(cè)試沒(méi)有投入足夠的重視，這可能導(dǎo)致測(cè)試無(wú)法正確、及時(shí)地發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)中存在的問(wèn)題，從而延長(zhǎng)設(shè)計(jì)周期，增加產(chǎn)品設(shè)計(jì)成本。因此準(zhǔn)確測(cè)試器件參數(shù)，真實(shí)反映器件性能，對(duì)指導(dǎo)電路設(shè)計(jì)具有重大意義。
　　高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片性能參數(shù)分為靜態(tài)參數(shù)以及動(dòng)態(tài)參

2、數(shù)兩方面。對(duì)于靜態(tài)參數(shù)，其測(cè)試方法簡(jiǎn)單，受外部電路影響較小;對(duì)于動(dòng)態(tài)參數(shù)，外部電路的寄生參數(shù)會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)試精度以及測(cè)試電路的可靠性，因此本文重點(diǎn)研究高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。本文具體工作包括以下幾個(gè)方面。第一，建立了包含寄生參數(shù)的開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試電路的集總模型，詳細(xì)分析模型中各個(gè)寄生參數(shù)對(duì)測(cè)試精度的影響，確定了寄生電感這一影響測(cè)試精度的主要因素，并通過(guò)Saber仿真驗(yàn)證理論的正確性。通過(guò)Q3D軟件仿真，給出了PCB走線寄生電感的擬合方

3、程，最后給出滿足測(cè)試精度的走線長(zhǎng)度約束條件;第二，研究了驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)dv/dt的影響，推導(dǎo)出滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)的驅(qū)動(dòng)電阻的表達(dá)式，分析了共源極寄生電感對(duì)提高dv/dt測(cè)試電路的影響，并給出了一種“源極開(kāi)爾文接法”優(yōu)化方案;第三，根據(jù)高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片的工作特點(diǎn)，給出了一種簡(jiǎn)易的VS負(fù)過(guò)沖測(cè)試方法，并通過(guò)仿真驗(yàn)證該測(cè)試方法的可行性;第四，研究了測(cè)試系統(tǒng)的易用性與兼容性，建立統(tǒng)一測(cè)試平臺(tái)，兼容不同封裝以及不同功能的高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片，同時(shí)通過(guò)FPGA提