基于SOI微環(huán)諧振腔的可調諧外腔半導體激光器研究.pdf

1、隨著光通信技術的快速發(fā)展，半導體激光器作為光源，在光纖通信系統(tǒng)和光交換系統(tǒng)中有著重要的地位。外腔激光器相比于普通半導體激光器，其線寬更窄，波長調諧范圍更寬，有較小的啁啾，具有優(yōu)良的光譜特性，所以一直是研究熱點。
　　本課題中提出了基于熱調諧微環(huán)諧振腔的外腔半導體激光器，主要介紹了熱調諧微環(huán)諧振腔和外腔準直光路的設計。
　　本文中首先介紹了微環(huán)諧振腔的基本理論和傳輸函數(shù)，以及固體傳熱理論，詳細分析了SOI波導的模場分布。硅材料

2、具有較大的熱光系數(shù)，能夠很好地應用于熱調諧，以此設計了熱調諧級聯(lián)雙環(huán)諧振腔。本文分析了熱調諧級聯(lián)雙環(huán)諧振腔的性能，其利用游標效應增加了波長漂移范圍，增大了熱調諧范圍及熱調諧效率。
　　接著詳細介紹了熱調諧級聯(lián)雙環(huán)諧振腔的制作工藝流程，制作主要分為級聯(lián)雙環(huán)諧振腔和微加熱器兩個部分，詳細介紹了電子束光刻、刻蝕、薄膜沉積、接觸式光刻等工藝;接著介紹了端面耦合的芯片測試平臺搭建和測試流程，測試了單環(huán)和雙環(huán)諧振腔的輸出端透射譜曲線。