混合內(nèi)存架構(gòu)的能耗降低策略.pdf

1、相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory,以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCM)是一種新型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)。近年來(lái)的研究主要把它定位為下一代內(nèi)存載體。相比較于傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,以下簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM),它具有存儲(chǔ)密度更高、非揮發(fā)性、抗輻射抗干擾、空閑能耗更低等諸多優(yōu)秀特征。但是在存儲(chǔ)寫(xiě)入操作上,它比DRAM消耗更高的時(shí)間和能量。同時(shí)它非常有限的寫(xiě)入壽命也限制了當(dāng)前其大規(guī)模地替代DRAM。因此

2、,針對(duì)PCM技術(shù)的應(yīng)用更多地是把它和DRAM相結(jié)合,搭建混合內(nèi)存架構(gòu),以期發(fā)揚(yáng)兩者各自的優(yōu)勢(shì)。之前的相關(guān)研究各自提出了他們搭建混合內(nèi)存系統(tǒng)的思路和策略。但是前人的工作中更多地把目標(biāo)集中在減少PCM寫(xiě)入次數(shù)、提高PCM使用壽命,而并沒(méi)有考慮到混合內(nèi)存架構(gòu)的能耗問(wèn)題。尤其是在混合內(nèi)存中DRAM的空閑能耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PCM,占了總能耗中非常大的比例。這個(gè)能耗的瓶頸在前人的工作中基本沒(méi)有涉及。本文的主要目標(biāo)就是討論降低混合內(nèi)存架構(gòu)下的能耗策略。我們