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文檔簡介
1、GaN基HEMT器件相比前兩代半導體材料具有大的禁帶寬度、高的擊穿電場、高電子遷移率等優(yōu)勢,在高溫、高頻大功率應用領域展現出了極大的潛力,成為了近年半導體領域研究的熱點。但AlGaN/GaN HEMT器件仍存在諸如柵泄漏電流大、電流崩塌及擊穿特性不理想等問題,制約了其商業(yè)化進程。
為減小柵泄漏電流,MOS結構被引入到HEMT器件中。隨著器件特征尺寸不斷縮小,柵氧化層厚度的減小引起的量子隧穿效應已經不能忽略,導致柵泄漏電流急劇增
2、大,通過采用高κ材料作為柵介質的GaN HMET器件具有很好的高頻特性,并能減小柵泄漏電流,成為了近年發(fā)展的趨勢。
本文的研究課題為高κ疊柵AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的設計和性能優(yōu)化。基于ISE-TCD仿真平臺建立的的器件模型,對AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的性能優(yōu)化和耐壓特性兩方面內容展開研究,主要研究結果如下:
1.首先研究了引入MOS結構對AlGaN/GaN HEMT器件性能的影響,并
3、分析了不同柵介質厚度和高κ疊柵結構對器件性能的影響。結果表明,MOS結構可以減小傳統(tǒng)肖特基柵低導通電壓引起的大柵極泄漏電流,但是柵控能力出現了下降,而減小氧化層厚度能夠提高器件的跨導、柵控能力,并改善閾值電壓負漂程度;高κ疊柵結構可以進一步提高柵極調制能力,使器件獲得更大的跨導,改善器件的頻率特性。
2.研究了高κ疊柵AlGaN/GaN HEMT器件的擊穿特性,結果表明高κ疊柵結構能改善器件的擊穿特性。基于高κ疊柵HEMT分析
4、了不同物理參數對器件擊穿特性的影響:柵漏間距的增大可以逐漸展寬電場峰值,提高器件的擊穿電壓;溝道Al組分的摻雜能夠提高電子溝道的禁帶寬度,因此改善了器件擊穿特性;而陷阱電荷的存在會在漏極產生電場峰值,削弱柵邊緣電場峰值,最終會導致漏極處先發(fā)生擊穿。
3.通過在高κ疊柵HEMT上添加場板來改善器件擊穿特性,并對場板的參數進行了優(yōu)化設計,確定了器件擊穿電壓達到最大時最優(yōu)的場板長度和鈍化層厚度;在此基礎上,研究了雙層柵源復合場板結構
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