二維納米鉬化合物及其功能復合材料的制備與性能研究.pdf

1、二維納米材料具有原子或分子的厚度。與塊狀材料相比，它能夠展現出一些優(yōu)異獨特的性質，具有巨大的功能應用潛力。不同于石墨烯的導電性，二維納米鉬化合物是具有很大應用前景的半導體材料。本文研究了兩種二維納米鉬化合物：MoS2納米片和MoO3-x納米片。MoS2納米片與塊狀材料相比，由間接帶隙轉為直接帶隙，這種改變使其對電、磁、光等能產生一些特異的反應。MoO3-x納米片具有普通半導體不具備的可調制的局域表面等離子共振效應(LSPR)，這使其在電

2、學和光學領域能夠產生極大的應用潛力。
　　本文制備了MoS2納米片、MoO3-x納米片及其增強聚合物基功能復合材料，并探究了它們所具有的新型功能特點。一是利用MoS2納米片熒光信號會隨其產生的應變出現變化的特點，通過測試MoS2納米片/聚合物復合材料熒光信號的變化，達到非接觸式測量這類復合材料應變的功能。二是利用MoO3-x納米片可調的LSPR效應，制備了具有可調LSPR效應的三維塊狀復合材料。采用高速剪切工藝對普通液相超聲分散進

3、行了優(yōu)化，以MoS2塊狀材料為原料、化學性質穩(wěn)定的NMP為分散溶劑，剝離分散制備了MoS2納米片懸浮液。對該懸浮液進行了紫外-可見吸光光譜、熒光光譜的表征。結果顯示高速剪切優(yōu)化法制備的MoS2納米片懸浮液具有更強的吸光性能和熒光性能，表明該法具有明顯的優(yōu)化效果。對懸浮液中的MoS2納米片進行了熒光光譜、Raman光譜和微觀形貌分析。結果顯示：MoS2納米片的熒光信號明顯增強，主峰位置在652nm，對應帶隙寬度為1.9eV；其Raman光

4、譜的兩個特征峰的間距變小；大部分MoS2納米片的平面尺寸在幾百納米到幾微米，厚度約為幾納米。利用共混法和Layer-by-Layer(LBL)法分別制備了MoS2納米片/epoxy和MoS2納米片/TPU復合材料，對其進行了熒光光譜、力學性能和微觀形貌的表征。研究與討論了不同聚合物基體、不同制備方法對基于MoS2納米片的聚合物基復合材料性能的影響。結果顯示：這兩類復合材料均具有明顯的熒光信號，表明這兩類聚合物不會影響MoS2納米片的帶隙

5、結構；因為環(huán)氧樹脂脆性較大，且MoS2納米片在其中無序排列，導致MoS2納米片/epoxy的熒光信號并沒有隨應力發(fā)生明顯變化，但因為MoS2納米片韌性較好及其對環(huán)氧樹脂彌散強化的緣故，MoS2納米片/epoxy的韌性得到提升；LBL法在制備 MoS2納米片/TPU時可以使MoS2納米片平鋪在彈性優(yōu)異的TPU中，當多次旋涂制備 MoS2納米片薄層時，MoS2納米片/TPU的熒光信號能夠隨其產生的應變而發(fā)生變化。采用高速剪切法，以 MoS2

6、塊狀材料為原料、化學反應活性較高的乙醇/水溶液為分散溶劑，制備了MoO3-x納米片懸浮液。反應原理是：高速剪切先引起MoS2納米片從塊狀材料上剝離分散；接著引起水分子產生強氧化性的OH*自由基，將MoS2納米片氧化為 MoO3納米片；然后乙醇將 MoO3納米片還原，溶液中存在的H原子插層進入MoO3納米片層間，生成MoO3-x納米片。對該懸浮液進行了LSPR光譜的測試，結果表明這種懸浮液具有明顯的LSPR效應，LSPR峰值位于可見光或近

7、紅外波段。紫外線輻射能夠促使更多的H原子插層進入MoO3-x納米片當中，對MoO3-x納米片懸浮液的LSPR光譜進行調制。對懸浮中的MoO3-x納米片及相關物質進行了微觀形貌、XPS能譜和Raman光譜的表征與分析。微觀形貌顯示MoO3-x納米片的平面尺寸在100nm150nm，厚度約為58nm；MoO3-x納米片中大部分原子排列呈非晶態(tài)，少部分呈現晶態(tài)。XPS結果顯示MoO3-x納米片中的Mo具有+6、+5和+4三種價態(tài)，S以SO4-

8、2形式存在；Raman光譜進一步證明制備的懸浮液中含有MoO3-x。利用共混法制備了MoO3-x納米片/epoxy、MoO3-x納米片/TPU復合材料。MoO3-x納米片/epoxy保持了可調的LSPR效應，紫外線輻射和一定溫度的加熱可以調制其LSPR光譜。MoO3-x納米片/epoxy中的殘余的氨基(-NH2)具有還原性且可以提供活潑氫進行插層，是引起了這類復合材料具有可調LSPR效應的關鍵。MoO3-x納米片/TPU復合材料中不具備