大面積高性能薄膜光探測器陣列的構筑.pdf

1、薄膜光探測器由于具有高的響應度、快的響應速率廣泛應用于通信、軍事、火災報警、航空航天等領域中，并且隨著近年來可穿戴設備、可折疊、可彎曲設備的發(fā)展，人們不僅需要努力提高光探測器的響應度、響應速率、探測率等性能，而且需要尋求新的材料來適應穿戴設備、可折疊、可彎曲設備等更高的要求。針對這些問題，本文開展了兩個方向的研究。
　　(1)通過CVD法生長出14英寸大的石墨烯，采用一種不去除PMMA的無縫轉移方法成功地將生長好的石墨烯轉至PMM

2、A/AB膠/PET基底上。石墨烯不僅完整性比較好，而且測得面電阻分布在200-500Ω sq-1，最低只有219Ω sq-1;光透過率為96.5％。將轉移得到的大面積石墨烯與條帶ZnSe結合構筑的光探測器陣列，不僅具有較高的光電流，較大的響應度，較高的探測率和較短的響應時間，而且集成的條帶ZnSe/石墨烯/PMMA/AB膠/PET柔性的光探測器陣列可以作為高均勻性的高性能圖像傳感器。然而，器件在彎曲3次過程中，光電流急劇下降，彎曲3次之

3、后，光電流減小比較緩慢，達到穩(wěn)定狀態(tài)，說明該器件性能的機械持久性不夠好，這有待我們進一步的改善。
　　(2)在ZnSe薄膜和Ni箔之間通過固相反應的方式在Ni箔上界面限制外延生長非層狀結構的NiSe薄膜。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)NiSe薄膜生長的機制是Ni與Zn的互擴散形成NiSe薄膜，NiSe薄膜的晶粒尺寸達微米級。NiSe薄膜通過圖形化生長構造出的NiSe薄膜光探測器，不僅滿足了光探測器在傳感和圖像系統(tǒng)中的集成，而且以生長的高質量的NiSe