高壓大電流碳化硅MOSFET串并聯模塊.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、碳化硅(SiC) MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件,其性能在高溫、高頻、高功率密度的應用場合具有優(yōu)于硅基功率半導體器件。然而,由于碳化硅晶元生長和SiC MOSFET制造工藝的限制,現在商用SiC MOSFET電流電壓等級一般為1200V/40A。為了實現SiC MOSFET在中大功率場合的應用,需要將SiCMOSFET串并聯以提高電壓和電流能力。
  本文分析了各種已發(fā)表的用于功率器件串聯的方案,比較了這些方案的優(yōu)缺點,

2、并在此基礎上提出了一種新型串聯拓撲,該拓撲可以實現對多個功率器件的串聯而僅需單個外部驅動。同時,為了提高電路的電流能力,采用兩組SiCMOSFET并聯。分析了此串并聯電路的工作原理和闡述了其設計要點。通過六個1200V/40ASiC MOSFET三管串聯兩管并聯實現了3600V/80ASiC MOSFET分立元件級電路結構,并對其開關速度和損耗進行了分析。
  為了將3600V/80ASiC MOSFET串并聯電路在模塊層面加以實

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