低維高分子體系中量子晶格漲落的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、研究人員采用不同的方法研究了低維高分子體系中的量子晶格漲落及其引起新的物理現(xiàn)象,首先,采用唯象的方法,通過一個(gè)簡(jiǎn)單孤子-反孤子對(duì)模型來(lái)模擬一維有機(jī)高分子中的量子晶格漲落,高分子中電子能隙內(nèi)的光吸收是由孤子-反孤子對(duì)激發(fā)的兩個(gè)分別來(lái)源于導(dǎo)帶的最低未占據(jù)價(jià)帶的最占據(jù)分立能級(jí)之間的躍遷產(chǎn)生的.其次,研究人員采用泛函積分的處理方法,在積去配分函數(shù)中電子的Grassmann變量后得到體系的有效聲子作用量.然后采用鞍點(diǎn)近似,展開體系的有效聲子作用量

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