憶阻器電學特性虛擬仿真研究.pdf

1、憶阻器是無源非線性基礎二端元件，具有天然的記憶功能，能夠記憶流經(jīng)其的電流變化，可以通過調(diào)節(jié)電壓（或電流）而改變其阻值大小。憶阻器的記憶功能表現(xiàn)為能快速記憶大量連續(xù)數(shù)據(jù)，這為制造出速度更快、更節(jié)能的“即開型”計算機鋪平了道路，也將會大大簡化混沌電路結(jié)構(gòu)，同時也將使納米量級的憶阻器在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中表現(xiàn)出獨特的優(yōu)越性。憶阻器在關(guān)閉電源之后依舊能夠保存信息，因此憶阻器也正挑戰(zhàn)著數(shù)碼設備中通用的閃存，成為新的儲存技術(shù)中使能器件的研究對

2、象。憶阻器獨特的電學性能以及可觀的應用前景引起了人們廣泛而強烈的關(guān)注。
　　目前憶阻器的研究主要存在兩大問題。其一，阻變機理不夠清晰，即阻變特性由組成材料成分決定還是微觀結(jié)構(gòu)決定。其二，阻變性能缺乏穩(wěn)定性，同條件下，阻變曲線的重復性不好。
　　本文將采用虛擬仿真的方法，針對納米量級鉑金片/二氧化鈦半導體薄膜/鉑金薄片三明治結(jié)構(gòu)的理想憶阻器進行探討研究。本文主要工作如下:
　　1、結(jié)合憶阻器的相關(guān)原理與基礎算法，依據(jù)惠普

3、憶阻器理想模型與相關(guān)數(shù)據(jù)，自行設計、編寫與調(diào)試仿真程序，完成對憶阻器的數(shù)學建模。
　　2、仿真討論了在理想線型雜質(zhì)遷移條件下，摻雜區(qū)長度、輸入波形形狀、輸入波形幅值、激勵頻率等各項因素對理想憶阻器電輸運性能的影響。
　　仿真研究中，各項參數(shù)可控可調(diào)，輸出結(jié)果較理想，印證了憶阻器的電學行為特征。仿真平臺界面能優(yōu)化憶阻器的結(jié)構(gòu)參數(shù)，能對憶阻器各項參數(shù)形成宏觀調(diào)控，成為憶阻器研究者的新工具，同時為憶阻器的研究提供理論指導，有一定參